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MMBT3904LT1G-bipolar Transistor - bipolar Transistor (BJT) NPN UNIVERSELLER ZWECK
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MMBT3904LT1G-bipolar Transistor - bipolar Transistor (BJT) NPN UNIVERSELLER ZWECK

Herkunftsort Anruf
Markenname onsemi
Zertifizierung ROHS
Modellnummer MMBT3904LT1G
Produktdetails
Produktname:
MMBT3904LT1G
Bedingung:
Vorlage 100%
Befestigung der Art:
Bipolar Transistor
Spannung - Versorgung:
Standard
Max. Reverse Current:
Standard
Anwendung:
Bipolar Transistor BJT
Produktbeschreibung

                                                                    MMBT3904LT1G-bipolar Transistor - bipolar Transistor (BJT) NPN UNIVERSELLER ZWECK 0MMBT3904LT1G-Datenblatt

Beschreibung

Das MMBT3904LT1G ist ein universelles NPN-Silikonbipolar transistor mit den linearen und zugeschalteten Fähigkeiten. Es kommt in das Paket SOT-23, das für Niederleistungsoberflächenberganwendungen bestimmt ist. Das MMBT3904LT1G kann in den Stromkreisen verwendet werden, die hohe spezifische Stromdichte und einen breiten Spannungsbereich erfordern. Die maximale Emitterbasisspannung des MMBT3904LT1G ist 6 V. Sie kann bis 300 mW von Energie zerstreuen.


Eigenschaften

Paket-Art: SOT−23 (TO−236)
Transistor-Art: NPN
Max Collector Current (IC): 200 MA
Max Collector-Emitter Voltage (VCEO): 40 V
Max Collector-Base Voltage (VCBO): 60 V
Max Emitter-Base Voltage (VEBO): 6 V
Max Power Dissipation (PD): 300 mW
Max Transition Frequency (fT): 300 MHZ
Gleichstromverstärkung (hFE): 100 - 300
Lagerung u. Betriebstemperatur: -55 bis +150 Celsius

Anwendungen

Universelle Schaltung
Signalaufbereitung
Industriell
Automobil

Spezifikationen

                     
Attribut Attribut-Wert
Hersteller AUF Halbleiter
Produkt-Kategorie Transistoren (BJT) - einzeln
Hersteller AUF Halbleiter
Produkt-KategorieBipolar Transistor - BJT
RoHSDetails
Marke AUF Halbleiter
Montage-ähnlich SMD/SMT
Paket-Fall SOT-23-3
Transistor-Polarität NPN
Konfiguration Einzeln
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-maximal40 V
Kollektor-Basis-Spannung-VCBO60 V
Emitter-Basis-Spannung-VEBO6 V
Kollektor-Emitter-Sättigung-Spannung0,3 V
Maximum-DC-Kollektor-gegenwärtig0,2 A
Gewinn-Bandbreite-Produkt-fT300 MHZ
Maximum-Laufen lassen-Temperatur + 150 C
Reihe MMBT3904L
Ununterbrochen-Kollektor-gegenwärtig 0,2 A
DC-Kollektor-Basis-Gewinn-hfe-Minute 100
Minimum-Laufen lassen-Temperatur - 55 C
VerpackenSpule
PD-Energie-Ableitung225 mW
Stückgewicht0,050717 Unze

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

 

 

 

 

   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

                                        

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

                                                                                                                        Kompatible funktionellkomponente

Form, Paket, kompatible funktionellkomponente

 

 

Hersteller Part # Beschreibung

Hersteller

Vergleichen Sie
BSR17A Universeller Verstärker NPN, 3000-REEL AUF Halbleiter MMBT3904LT1G gegen BSR17A
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MMBT3904,215 MMBT3904 - NPN-Schalttransistor TO-236 3-Pin Nexperia MMBT3904LT1G gegen MMBT3904,215
SST3904T116 Differenzielles bipolar Transistor, 0.2A I (C), 40V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silikon, SST3, PIN 3 ROHM-Halbleiter MMBT3904LT1G gegen SST3904T116

 

 

Häufig gestellte Fragen

 

Was ist NPN-bipolar Transistor?

Ein NPN-Transistor ist das allgemein verwendetste bipolar Transistor und wird konstruiert, indem er einen P-artigen Halbleiter zwischen zwei N-Halbleitern einschiebt. Ein NPN-Transistor hat drei Anschlüsse - ein Kollektor, ein Emitter und eine Basis. Der NPN-Transistor benimmt sich wie zwei PN-Flächendioden, die zurück zu Rückseite angeschlossen werden.

Was ist MMBT3904LT1G?

Das MMBT3904LT1G ist ein NPN-Silikonbipolar transistor, das für Gebrauch im Oberflächenberg der linearen, niedrigeren Energie und in zugeschalteten Anwendungen bestimmt ist.

Was ist der Unterschied zwischen MMBT3904LT1G und MMBT3904LT1?

‚G-‘ Stände für ‚Grünes‘. Der MMBT3904LT1G-Transistor ist die bleifreie Version des MMBT3904LT1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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