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Memoria sin plomo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP de CY62256NLL-70PXC
  • Memoria sin plomo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP de CY62256NLL-70PXC

Memoria sin plomo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP de CY62256NLL-70PXC

Lugar de origen Llamada
Nombre de la marca Cypress Semiconductor
Certificación Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo CY62256NLL-70PXC
Detalles de producto
Pieza de JSWY #::
JS32-CY62256NLL-70PXC
Fabricante Part #::
CY62256NLL-70PXC
Categoría de producto::
Memoria ICs
Fabricante::
Semiconductor de Cypress
Descripción::
IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP
Paquete::
PDIP-28
Cantidad::
99999+ PCS
Situación sin plomo/situación de RoHS::
Sin plomo/RoHS obediente
Plazo de ejecución::
3-8 (192 horas)
Alta luz: 

Memoria IC de CY62256NLL-70PXC

,

Memoria IC 256KBIT 70NS 28DIP

,

CY62256NLL-70PXC SRAM 256KBIT

Descripción de producto

Descripción

El CY62256N es un alto rendimiento Cmos RAM estático organizado como palabras 32K por 8 pedazos. La extensión de memoria fácil es proporcionada por un microprocesador BAJO activo permite (el CE) y la salida BAJA activa permite (OE) y los conductores de triple estado. Este dispositivo tiene una característica automática del poder-abajo, reduciendo el consumo de energía por el 99,9 por ciento cuando está no reelegido como candidato.
Un PUNTO BAJO activo escribir permite la señal (NOSOTROS) controla la escritura/la operación de lectura de la memoria. Cuando el CE y NOSOTROS entra son ambos BAJOS, datos sobre los ocho pernos de la entrada-salida de los datos (I/O0 con I/O7) se escriben en la posición de memoria dirigida por el presente de la dirección en los pernos de la dirección (A0 con A14).
La lectura del dispositivo es lograda seleccionando el dispositivo y permitiendo las salidas, el CE y el PUNTO BAJO activo de OE, mientras que seguimos siendo inactivos o ALTOS. Bajo estas condiciones, el contenido de la ubicación dirigida por la información sobre los pernos de la dirección está presente en los ocho pernos de la entrada-salida de los datos.
Los pernos de la entrada-salida permanecen en un alto estado de la impedancia a menos que se seleccione el microprocesador, las salidas se permiten, y escriben permiten (NOSOTROS) son ALTOS.

Pin Configuration

Memoria sin plomo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP de CY62256NLL-70PXC 0

Bloque diagrama de la lógica de CY62256NLL-70PXC

Memoria sin plomo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP de CY62256NLL-70PXC 1

CY62256NLL-70PXC ofrece

Gamas de temperaturas
Anuncio publicitario del ❐: 0 °C al °C +70
❐ industrial: – °C 40 al °C +85
❐ automotriz-UNo: – °C 40 al °C +85
❐ automotriz-e: – °C 40 al °C +125
■Velocidad: 55 ns
■Gama del voltaje: 4,5 V a la operación V 5,5
■Poder activo bajo
❐ 275 mW (máximos)
■Poder espera bajo (versión de LL)
❐ 82,5 mW (máximos)
■Extensión de memoria fácil con las características del CE y de OE
■entradas y salidas TTL-compatibles
■Poder-abajo automático cuando está no reelegido como candidato
■Cmos para la velocidad y el poder óptimos
■Disponible en el perno Pb-libre y no Pb-libre 28 (600-mil) PDIP,
perno 28 (300-mil) SOIC estrecho, 28 perno TSOP I, y perno 28
paquetes reversos de TSOP I

Grados máximos de CY62256NLL-70PXC

Exceder grados máximos puede empeorar la vida útil del dispositivo. Estas instrucciones del usuario no se prueban.
Temperatura de almacenamiento ................................ – 65℃ a +150℃
Temperatura ambiente con .......................................... – 55℃ aplicado poder a +125℃
Voltaje de fuente al potencial de tierra (perno 28 para fijar 14) ..................................... – 0,5 V a +7,0 V
El voltaje de DC aplicó a las salidas en alto estado de Z ................................ -0,5 V a VCC + 0,5 V
Voltaje de entrada CC ............................. – 0,5 V a VCC + 0,5 V

Ficha técnica

Usted puede transferir la ficha técnica el vínculo dado abajo.

 

                                       Ficha técnica de CY62256NLL-70PXC

 

Memoria sin plomo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP de CY62256NLL-70PXC 2

 

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