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Bleifreies CY62256NLL-70PXC Gedächtnis IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP
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Bleifreies CY62256NLL-70PXC Gedächtnis IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP

Herkunftsort Anruf
Markenname Cypress Semiconductor
Zertifizierung Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer CY62256NLL-70PXC
Produktdetails
JSWY-Teil #::
JS32-CY62256NLL-70PXC
Hersteller Part #::
CY62256NLL-70PXC
Produkt-Kategorie::
Gedächtnis IC
Hersteller::
Zypresse-Halbleiter
Beschreibung::
IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP
Paket::
PDIP-28
Quantität::
99999+ PCS
Bleifreier Status/RoHS-Status::
Bleifrei/RoHS konform
Vorbereitungs- und Anlaufzeit::
3-8 (192 Stunden)
Markieren: 

CY62256NLL-70PXC Gedächtnis IC

,

Gedächtnis IC 256KBIT 70NS 28DIP

,

CY62256NLL-70PXC SRAM 256KBIT

Produktbeschreibung

Beschreibung

Das CY62256N ist eine Hochleistung CMOS statisches RAM, das als Wörter 32K durch 8 Bits organisiert wird. Einfache Speichererweiterung wird von einer aktiven NIEDRIGEN Signalfreigabe eines Bausteins (CER) zur Verfügung gestellt und aktiver NIEDRIGER Ertrag ermöglichen (OE) und Tristatefahrer. Dieses Gerät hat eine automatische Abschaltungseigenschaft und verringert die Leistungsaufnahme um 99,9 Prozent, wenn es abgewählt wird.
Ein aktives TIEF zu schreiben Freigabesignal (UNS) steuert das Schreiben/den Lesevorgang des Gedächtnisses. Wenn CER und WIR eingeben, sind beide NIEDRIGEN, Daten bezüglich der acht Dateninput/output Stifte (I/O0 bis I/O7) wird geschrieben in die Speicherstelle, die durch das Adreßgeschenk auf die Adressenanschlüsse (A0 bis A14) adressiert wird.
Das Ablesen des Gerätes wird vollendet, indem man das Gerät vorwählt und den Ertrag, dem CER und aktiven dem TIEF OE ermöglicht, während WIR inaktiv oder HOCH bleiben. Unter diesen Bedingungen ist der Inhalt des Standorts, der durch die Informationen über Adressenanschlüsse adressiert wird, auf den acht Dateninput/output Stiften anwesend.
Die Input/Output Stifte bleiben in einem hochohmigen Zustand, es sei denn, dass der Chip vorgewählt wird, Ertrag werden ermöglicht, und schreiben ermöglichen (WIR) ist HOCH.

Pin Configuration

Bleifreies CY62256NLL-70PXC Gedächtnis IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP 0

CY62256NLL-70PXC Logik-Santendiagramm

Bleifreies CY62256NLL-70PXC Gedächtnis IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP 1

CY62256NLL-70PXC kennzeichnet

Temperaturspannen
❐ Werbung: 0 °C zu °C +70
❐ industriell: – °C 40 zu °C +85
❐ Automobil-EIn: – °C 40 zu °C +85
❐ Automobil-e: – °C 40 zu °C +125
■Hohe Geschwindigkeit: 55 ns
■Spannungsbereich: 4,5 Operation V bis 5,5 V
■Niedrige Wirkleistung
❐ 275 mW (maximal)
■Niedrige Reserveleistung (LL-Version)
❐ 82,5 mW (maximal)
■Einfache Speichererweiterung mit CER und OE-Eigenschaften
■TTL-kompatibler Input und Ertrag
■Automatische Abschaltung, wenn Sie abgewählt werden
■CMOS für optimale Geschwindigkeit und Energie
■Verfügbar in Pb-freiem und nicht Pb-freiem Stift 28 (600-mil) PDIP,
Stift 28 (300-mil) schmales SOIC, 28 Stift TSOP I und Stift 28
Rück-Pakete TSOP I

CY62256NLL-70PXC Maximalleistungen

Die Überschreitung von Maximalleistungen hindert möglicherweise die Nutzungszeit des Gerätes. Diese Benutzerrichtlinien werden nicht geprüft.
Lagertemperatur ................................ – 65℃ zu +150℃
Umgebende Temperatur mit Energie angewendetem .......................................... – 55℃ zu +125℃
Versorgungsspannung zur Bezugsmasse (Stift 28, zum 14 festzustecken) ..................................... – 0,5 V bis +7,0 V
Gleichspannung angewendet an den Ertrag in hohem z-Zustand ................................ -0,5 V zu VCC + 0,5 V
DC-Eingangsspannung ............................. – 0,5 V zu VCC + 0,5 V

Datenblatt

Sie können das Datenblatt herunterladen die Verbindung, die unten gegeben wird.

 

                                       CY62256NLL-70PXC Datenblatt

 

Bleifreies CY62256NLL-70PXC Gedächtnis IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP 2

 

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