無鉛CY62256NLL-70PXCの記憶IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP

記述

CY62256Nは8ビットにつき32K単語として組織される高性能CMOSの静的なRAMである。容易なメモリ拡張は活動的で低い破片によって可能にする（セリウムを）提供され、活動的で低い出力は可能になる（OE）および三国から成った運転者。この装置は選択解除されたとき99.9%パワー消費量を減らす自動パワー特徴を備えている。
活動的な低速は書くために信号（私達）を制御する記憶の執筆/読込み操作を可能にする。セリウムおよび私達が入るとき低い両方ともの8つのデータ入出力ピン（I/O0によるI/O7）のデータ住所ピン（A0によるA14）で住所現在によって演説する記憶場所に書かれているある。
装置を読むことは装置を選び、出力、セリウムおよびOEの活動的な低速を可能にすることによって私達は不活性または高く残るが、達成される。このような状況の下で、住所ピンの情報によって演説する位置の内容は8つのデータ入出力ピンにある。
入出力ピンは高いインピーダンス状態に破片が選ばれなければ、出力可能になり、書く可能になる（私達）高い残る。

Pin構成

CY62256NLL-70PXCの論理のブロック ダイヤグラム

CY62256NLL-70PXCは特色になる

■温度較差
❐のコマーシャル:+70 °Cへの0の°C
産業❐:– 40 °Cへの+85 °C
自動車❐:– 40 °Cへの+85 °C
自動車E ❐:– 40 °Cへの+125 °C
■高速:55 ns
■電圧範囲:4.5 Vから5.5ボルト操作
■低いアクティブな電源
❐ 275 MW （最高）
■低い予備発電（LL版）
❐ 82.5 MW （最高）
■セリウムおよびOEの特徴との容易なメモリ拡張
■TTL互換性がある入出力
■選択解除された場合自動パワー
■最適速度および力のためのCMOS
■PDIP Pbなしおよび非Pbなしの28ピン（600ミル）で利用できる、
28ピン（300ミル）狭いSOIC、28ピンTSOP I、および28ピン
逆TSOP Iのパッケージ

CY62256NLL-70PXCの最高の評価

最高の評価を超過することは装置の有用な生命を損なうかもしれない。これらのユーザーの指針はテストされない。
保管温度................................ – 65℃への+150℃
+125℃への力によって適用される.......................................... – 55℃の周囲温度
地上の潜在性（14をピンで止めるピン28）への供給電圧..................................... – 0.5ボルトから+7.0ボルト
DC電圧はVCCの+ 0.5ボルトに高いZの状態の出力に................................ -0.5ボルトを適用した
DC入力の電圧............................. – VCCの+ 0.5ボルトへの0.5ボルト

データ用紙

次与えられるリンク データ用紙をダウンロードできる。

                                       CY62256NLL-70PXCのデータ用紙