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Memoria senza piombo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP di CY62256NLL-70PXC
  • Memoria senza piombo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP di CY62256NLL-70PXC

Memoria senza piombo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP di CY62256NLL-70PXC

Luogo di origine Chiamata
Marca Cypress Semiconductor
Certificazione Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello CY62256NLL-70PXC
Dettagli del prodotto
Parte di JSWY #::
JS32-CY62256NLL-70PXC
Produttore Part #::
CY62256NLL-70PXC
Categoria di prodotto::
Memoria CI
Produttore::
Semiconduttore di Cypress
Descrizione::
IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP
Pacchetto::
PDIP-28
Quantità::
99999+ PCS
Stato senza piombo/stato di RoHS::
Senza piombo/RoHS compiacente
Termine d'esecuzione::
3-8 (192 ore)
Evidenziare: 

Memoria IC di CY62256NLL-70PXC

,

Memoria IC 256KBIT 70NS 28DIP

,

CY62256NLL-70PXC SRAM 256KBIT

Descrizione di prodotto

Descrizione

Il CY62256N è un rendimento elevato il CMOS RAM statico organizzato come parole 32K da 8 bit. L'espansione di memoria facile è fornita da un chip BASSO attivo permette (al CE) e l'uscita BASSA attiva permette a (OE) e driver di tre stati. Questo dispositivo ha un automatico spegne la caratteristica, riducente il consumo di energia da 99,9 per cento una volta deselezionato.
Un MINIMO attivo scrivere permette al segnale (NOI) controlla la scrittura/operazione di lettura della memoria. Quando il CE e NOI introduce sono entrambi i MINIMI, dati sugli otto perni dell'ingresso/uscita di dati (I/O0 con I/O7) sono scritti nella posizione di memoria indirizzata dal presente di indirizzo sui perni di indirizzo (A0 con A14).
La lettura del dispositivo è compiuta selezionando il dispositivo e permettendo alle uscite, al CE ed al MINIMO attivo di OE, mentre rimaniamo inattivi o ALTI. In queste circostanze, il contenuto della posizione indirizzata dalle informazioni sui perni di indirizzo è presente sugli otto perni dell'ingresso/uscita di dati.
I perni dell'ingresso/uscita rimangono in un alto stato dell'impedenza a meno che il chip sia selezionato, uscite sono permessi a e scrivono permettono a (NOI) è ALTI.

Pin Configuration

Memoria senza piombo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP di CY62256NLL-70PXC 0

Schema a blocchi di logica di CY62256NLL-70PXC

Memoria senza piombo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP di CY62256NLL-70PXC 1

CY62256NLL-70PXC caratterizza

Gamme di temperature
Annuncio pubblicitario del ❐: 0 °C a °C +70
Industriale del ❐: – °C 40 a °C +85
❐ automobilistico-Un: – °C 40 a °C +85
❐ automobilistico-e: – °C 40 a °C +125
■Alta velocità: 55 NS
■Gamma di tensione: 4,5 operazione V di 5,5 - di V
■Potenza attiva bassa
❐ 275 Mw (massimi)
■Potere standby basso (versione di LL)
❐ 82,5 Mw (massimi)
■Espansione di memoria facile con le caratteristiche di OE e del CE
■input ed uscite TTL-compatibili
■Automatico spenga una volta deselezionato
■CMOS per velocità e potere ottimali
■Disponibile in 28 perno senza Pb e non senza Pb (600-mil) PDIP,
28 perno (300-mil) SOIC stretto, 28 perno TSOP I e perno 28
pacchetti inversi di TSOP I

Valutazioni massime di CY62256NLL-70PXC

Il superamento delle valutazioni massime può alterare la durata utile del dispositivo. Queste linee guida dell'utente non sono provate.
Temperatura di stoccaggio ................................ – 65℃ a +150℃
Temperatura ambiente con .......................................... – 55℃ applicato potere a +125℃
Tensione di rifornimento a potenziale al suolo (pin 28 per pin 14) ..................................... – 0,5 V - +7,0 V
La tensione di CC ha applicato alle uscite nell'alto stato di Z ................................ -0,5 V a VCC + 0,5 V
Tensione in ingresso di CC ............................. – 0,5 V a VCC + 0,5 V

Scheda

Potete scaricare la scheda il collegamento dato sotto.

 

                                       Scheda di CY62256NLL-70PXC

 

Memoria senza piombo IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP di CY62256NLL-70PXC 2

 

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