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Semi-conducteur discret
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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | TOSHIBA |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | TPC6104 (TE85L, F, M) |
TPC6104 (TE85L, F, M) fiche technique
Détails de produit
Applications portatives d'équipement
• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 12 S (type.)
• Bas courant de fuite : ΜA d'IDSS= −10 (maximum) (VDS= −20 V)
• Mode d'amélioration : Vth= −0.5 à −1.2 V
(ΜA de VDS= −10 V, d'ID= −200)
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | TOSHIBA |
| Catégorie de produit | FETs - simples |
| Catégories | Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples |
| Fabricant | Semi-conducteur et stockage de Toshiba |
| Série | U-MOSIII |
| Emballage | Bande et bobine (TR) |
| Partie-statut | Obsolète |
| De type FET | P-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Drain-à-Source-tension-Vdss | 20V |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 5.5A (ventres) |
| Commande-Tension-Maximum-RDS-Sur-Minute-RDS-sur | 1.8V, 4.5V |
| Vgs-Th-Maximum-identification | 1.2V @ 200 ? |
| Porte-Charge-Qg-maximum-Vgs | 19nC @ 5V |
| Vgs-maximum | ±8V |
| Entrée-Capacité-Ciss-maximum-Vds | 1430pF @ 10V |
| FET-caractéristique | - |
| Puissance-Dissipation-maximum | 700mW (ventres) |
| RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs | 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| L'Actionner-température | 150°C (TJ) |
| De type support | Bâti extérieur |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paquet-cas | SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 |
Descriptions
Bâti 700mW (merci) extérieur du P-canal 20V 5.5A (ventres) VS-6 (2.9x2.8)
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