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PチャネルMOSFETのトランジスター ノートのPCの使用TPC6104 (TE85L、FのM)
  • PチャネルMOSFETのトランジスター ノートのPCの使用TPC6104 (TE85L、FのM)

PチャネルMOSFETのトランジスター ノートのPCの使用TPC6104 (TE85L、FのM)

起源の場所 呼出し
ブランド名 TOSHIBA
証明 ROHS
モデル番号 TPC6104 (TE85L、FのM)
製品詳細
製品名:
TPC6104 (TE85L、FのM)
条件:
原物100%
設置methodpe:
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
パッケージ:
SOT-23-6 薄型、TSOT-23-6
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
単一トランジスター- MOSFETsのFETs -
ハイライト: 

PチャネルMOSFETのトランジスター

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ノートのPC MOSFETのトランジスター

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ノートPチャネルのトランジスター

製品の説明

                                                                  PチャネルMOSFETのトランジスター ノートのPCの使用TPC6104 (TE85L、FのM) 0TPC6104 (TE85L、F、M)データ用紙
プロダクト細部

ノートのPCの塗布

携帯用装置の塗布

•抵抗の低い下水管源:RDSの() = 33 mΩ (タイプ。)

•高い前方移動アドミタンス:|Yfs|= 12 S (タイプ。)
•低い漏出流れ:IDSS= −10のµA (最高) (V) VDS= −20
•強化モード:Vth= −0.5への−1.2 V
(VDS= −10 V、ID= −200のµA)

指定

               
属性 属性値
製造業者 東芝
製品カテゴリ 単一FETs -
部門 単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
製造業者 東芝の半導体および貯蔵
シリーズ U-MOSIII
包装テープ及び巻き枠(TR)
一部状態 時代遅れ
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (金属酸化物)
下水管に源電圧Vdss 20V
現在連続的下水管ID25°C5.5A (Ta)
ドライブ電圧最高Rds分Rds 1.8V、4.5V
Vgs Th最高ID1.2V @ 200か。
ゲート充満Qg最高Vgs 19nC @ 5V
Vgs最高±8V
入力キャパシタンスCiss最高Vds 1430pF @ 10V
FET特徴-
パワー消滅最高700mW (Ta)
Rds最高IDVgs 40 mOhm @ 2.8A、4.5V
作動温度 150°C (TJ)
土台タイプ 表面の台紙
製造者装置パッケージ VS-6 (2.9x2.8)
パッケージ場合 薄いSOT-23-6 TSOT-23-6

記述

P-Channel 20V 5.5A (Ta)の700mW (Ta)表面の台紙VS-6 (2.9x2.8)

 

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