TPC6104 (TE85L、F、M)データ用紙
プロダクト細部
携帯用装置の塗布
•高い前方移動アドミタンス:|Yfs|= 12 S (タイプ。)
•低い漏出流れ:IDSS= −10のµA (最高) (V) VDS= −20
•強化モード:Vth= −0.5への−1.2 V
(VDS= −10 V、ID= −200のµA)
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | 東芝 |
製品カテゴリ | 単一FETs - |
部門 | 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
製造業者 | 東芝の半導体および貯蔵 |
シリーズ | U-MOSIII |
包装 | テープ及び巻き枠(TR) |
一部状態 | 時代遅れ |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
下水管に源電圧Vdss | 20V |
現在連続的下水管ID25°C | 5.5A (Ta) |
ドライブ電圧最高Rds分Rds | 1.8V、4.5V |
Vgs Th最高ID | 1.2V @ 200か。 |
ゲート充満Qg最高Vgs | 19nC @ 5V |
Vgs最高 | ±8V |
入力キャパシタンスCiss最高Vds | 1430pF @ 10V |
FET特徴 | - |
パワー消滅最高 | 700mW (Ta) |
Rds最高IDVgs | 40 mOhm @ 2.8A、4.5V |
作動温度 | 150°C (TJ) |
土台タイプ | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | VS-6 (2.9x2.8) |
パッケージ場合 | 薄いSOT-23-6 TSOT-23-6 |
記述
P-Channel 20V 5.5A (Ta)の700mW (Ta)表面の台紙VS-6 (2.9x2.8)
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