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Semicondutor discreto
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| Lugar de origem | Chamada |
| Marca | TOSHIBA |
| Certificação | ROHS |
| Número do modelo | TPC6104 (TE85L, F, M) |
TPC6104 (TE85L, F, M) folha de dados
Detalhes do produto
Aplicações portáteis do equipamento
• Admissão de transferência dianteira alta: |Yfs| = 12 S (tipo.)
• Baixa corrente do escapamento: ΜA de IDSS= −10 (máximo) (VDS= −20 V)
• Modo do realce: Vth= −0.5 a −1.2 V
(ΜA de VDS= −10 V, de ID= −200)
Especificações
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | TOSHIBA |
| Categoria de produto | FETs - únicos |
| Categorias | Transistor - FETs, MOSFETs - únicos |
| Fabricante | Semicondutor e armazenamento de Toshiba |
| Série | U-MOSIII |
| Empacotamento | Fita & carretel (TR) |
| Parte-estado | Obsoleto |
| FET-tipo | P-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Dreno-à-Fonte-tensão-Vdss | 20V |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 5.5A (Ta) |
| Movimentação-Tensão-Máximo-RDS-Em-Minuto-RDS-em | 1.8V, 4.5V |
| Vgs-th-Máximo-identificação | 1.2V @ 200? |
| Porta-Carga-Qg-máximo-Vgs | 19nC @ 5V |
| Vgs-máximo | ±8V |
| Entrada-Capacidade-Ciss-máximo-Vds | 1430pF @ 10V |
| FET-característica | - |
| Poder-Dissipação-máximo | 700mW (Ta) |
| RDS-Em-Máximo-identificação-Vgs | 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Operar-temperatura | 150°C (TJ) |
| Montagem-tipo | Montagem de superfície |
| Fornecedor-Dispositivo-pacote | VS-6 (2.9x2.8) |
| Pacote-caso | SOT-23-6 fino, TSOT-23-6 |
Descrições
Montagem VS-6 da superfície 700mW do P-canal 20V 5.5A (Ta) (Ta) (2.9x2.8)
Quem nós somos?
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FAQ
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: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
Q: Que é seus termos de pagamento?
: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
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: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
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: A garantia livre está a um ano do dia da comissão qualificado. Se há qualquer falha para nossos produtos dentro do período de garantia livre, nós repará-la-emos e mudá-los-emos o conjunto da falha para livre.
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