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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | TOSHIBA |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | TPC6104(TE85L,F,M) |
TPC6104(TE85L,F,M) 데이터 시트
제품 상세정보
가지고 다닐 수 있는 장치적용
오우 높은 순방향 전송 입장허가 : |Yfs| = 12 Ｓ (typ.)
오우 저누설 전류 : IDSS= -10 uA (최대) (VDS= -20 Ｖ)
오우 증가 모드 : Vth= -0.5 내지 -1.2 Ｖ
(VDS= -10 Ｖ, ID= -200 uA)
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 토시바 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 범주 | 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다 |
| 제조사 | 토시바 반도체와 저장 |
| 시리즈 | U-MOSIII |
| 패키징 | 테이프 & 릴 (TR) |
| 부분적 상태 | 퇴역항공기 |
| 전계 효과 트랜지스터형 | P-채널 |
| 기술 | MOSFET (금속 산화물) |
| 원천 전압 VDS에 고갈되세요 | 20V |
| Current-Continuous-Drain-Id-25' Ｃ | 5.5A (Ta) |
| 드라이브-볼타게-막스-르드스-온-민-르드스-온 | 1.8V, 4.5V |
| 브그스 -스 최대 ID | 200에 있는 1.2V?A |
| 게이트전하 -큐그 최대 -브그스 | 5V에 있는 19nC |
| 브그스 최대 | ±8V |
| 입력 커패시턴스 시스 최대 VDS | 10V에 있는 1430pF |
| FET 특징 | - |
| 전력 소모 최대 | 700mW (Ta) |
| Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 2.8A, 4.5V에 있는 40 모흠 |
| 작동 온도 | 150' Ｃ (TJ) |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 공급 툴 장치 패키지 | VS-6 (2.9x2.8) |
| 포장 케이스 | SOT-23-6 가는, TSOT-23-6 |
기술
P-채널 20V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) 표면 부착 VS-6 (2.9x2.8)
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