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Transistor MOSFET P-Chan 400V de transistors d'IRFR9310TRLPBF 1,8 ampères
  • Transistor MOSFET P-Chan 400V de transistors d'IRFR9310TRLPBF 1,8 ampères

Transistor MOSFET P-Chan 400V de transistors d'IRFR9310TRLPBF 1,8 ampères

Lieu d'origine Appel
Nom de marque Infineon
Certification ROHS
Numéro de modèle IRFR9310TRLPBF
Détails du produit
Nom de produit:
IRFR9310TRLPBF
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
La Manche du 1H8 DU MATIN /SMT 1 de transistor MOSFET - 55 C TO-252-3 50 W.P. - la Manche - 400 V
Paquet:
TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Transistors - FETs de transistors MOSFET - simples
Description de produit

                                                                  Transistor MOSFET P-Chan 400V de transistors d'IRFR9310TRLPBF 1,8 ampères 0Fiche technique d'IRFR9310TRLPBF
Détails de produit

DESCRIPTION

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

CARACTÉRISTIQUES

• P-canal
• Bâti extérieur (IRFR9310/SiHFR9310)
• Avance droite (IRFU9310/SiHFU9310)
• Technologie transformatrice avancée
• Commutation rapide
• Entièrement avalanche évaluée
• Disponible sans d'avance (Pb)

Caractéristiques

                         
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant Infineon
Catégorie de produit FETs - simples
EmballageBobine
Unité-poids0,050717 onces
De style du support SMD/SMT
Paquet-cas TO-252-3
TechnologieSI
Nombre-de-canaux La 1 Manche
Configuration Simple
De type transistor 1 P-canal
Palladium-Puissance-dissipation50 W
Température de fonctionnement maximum+ 150 C
Gamme de température de fonctionnement- 55 C
Chute fois24 NS
Temps de montée10 NS
Vgs-Porte-Source-tension20 V
Identification (courant de drain)1,8 A
Vds-Drain-Source-Panne-tension- 400 V
RDS-Sur-Drain-Source-résistance7 ohms
Transistor-polarité P-canal
Typique Tour Retard fois 25 NS
Temps de retard d'ouverture11 NS

Canal-mode

Amélioration

Descriptions

Transistor MOSFET P-CH SI 400V 1.8A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R de transport
Transistor MOSFET P-Chan 400V 1,8 ampères

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
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: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

 
 

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