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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Infineon |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | IRFR9310TRLPBF |
IRFR9310TRLPBF 데이터 시트
제품 상세정보
비샤이로부터의 3 세대 파워 모스펫은 실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 달성하기 위해 처리 기법을 선불하는 것으로 이용합니다. 파워 모스펫이 잘 알려지는 고속 스위칭 속도와 울퉁불퉁한 기기 디자인에 결합된 이 혜택이 폭 넓게 다양한 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 장치를 제공합니다.
오우 P-채널
오우 표면 부착 (IRFR9310/SiHFR9310)
오우 스트레이트 리드 (IRFU9310/SiHFU9310)
오우 발전적인 프로세스 기술
오우는 스위칭을 금식시킵니다
오우는 완전히 평가되는 것으로 압도합니다
이용 가능한 -무료 오우 리드 (Pb)
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 인피네온 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 패키징 | 릴 |
| 단일 가중치 | 0.050717 온스 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | TO-252-3 |
| 기술 | Si |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 구성 | 단일 |
| 트랜지스터 유형 | 1 P-채널 |
| Pd 전원 산재 | 50 Ｗ |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 24 나노 초 |
| 오름시간 | 10 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 20 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 1.8 A |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | - 400 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 7 오옴 |
| 트랜지스터 극성 | P-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 25 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 11 나노 초 |
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채널 모드 |
향상 |
기술
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