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MOSFET P-Chan 400V dos transistor de IRFR9310TRLPBF 1,8 ampères
  • MOSFET P-Chan 400V dos transistor de IRFR9310TRLPBF 1,8 ampères

MOSFET P-Chan 400V dos transistor de IRFR9310TRLPBF 1,8 ampères

Lugar de origem Chamada
Marca Infineon
Certificação ROHS
Número do modelo IRFR9310TRLPBF
Detalhes do produto
Nome do produto:
IRFR9310TRLPBF
Circunstância:
Original 100%
Methodpe da instalação:
MOSFET 1,8 um canal de SMD/SMT 1 - 55 C TO-252-3 50 W.P. - canal - 400 V
Pacote:
TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Tensão - fonte:
Standard internacional
Máximo Reverso Atual:
Standard internacional
Aplicação:
Transistor - FETs dos MOSFETs - únicos
Descrição do produto

                                                                  MOSFET P-Chan 400V dos transistor de IRFR9310TRLPBF 1,8 ampères 0Folha de dados de IRFR9310TRLPBF
Detalhes do produto

DESCRIÇÃO

Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

CARACTERÍSTICAS

• P-canal
• Montagem de superfície (IRFR9310/SiHFR9310)
• Ligação reta (IRFU9310/SiHFU9310)
• Tecnologia de processamento avançada
• Interruptor rápido
• Inteiramente avalancha avaliada
• Ligação (Pb) - disponível livre

Especificações

                         
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon
Categoria de produto FETs - únicos
EmpacotamentoCarretel
Unidade-peso0,050717 onças
Montagem-estilo SMD/SMT
Pacote-caso TO-252-3
TecnologiaSi
Número--canais 1 canal
Configuração Único
Transistor-tipo 1 P-canal
Paládio-Poder-dissipação50 W
Temperatura de funcionamento máximo+ 150 C
Variação da temperatura de funcionamento- 55 C
Queda-tempo24 ns
Elevação-tempo10 ns
Vgs-Porta-Fonte-tensão20 V
Identificação (corrente do dreno)1,8 A
Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão- 400 V
RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência7 ohms
Transistor-polaridade P-canal
Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo 25 ns
Tempo de atraso de ligação11 ns

Canal-modo

Realce

Descrições

Si 400V 1.8A 3-Pin do MOSFET P-CH do transporte (2+Tab) DPAK T/R
MOSFET P-Chan 400V 1,8 ampères

Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
FAQ
Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
: Nós somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
Q: Que é seus termos de pagamento?
: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
Q: Como comprar seus produtos?
: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
Q: Que é a garantia?
: A garantia livre está a um ano do dia da comissão qualificado. Se há qualquer falha para nossos produtos dentro do período de garantia livre, nós repará-la-emos e mudá-los-emos o conjunto da falha para livre.

 
 

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