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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Infineon |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | IRFR9310TRLPBF |
IRFR9310TRLPBFのデータ用紙
プロダクト細部
Vishayからの第三世代力のMOSFETsはケイ素区域ごとの低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。力のMOSFETsが有名のためにであること速い切り替え速度および高耐久化された装置設計と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
•P-Channel
•表面の台紙（IRFR9310/SiHFR9310）
•まっすぐな鉛（IRFU9310/SiHFU9310）
•高度の加工技術
•速い切換え
•評価される十分になだれ
•鉛（Pb）のなしの利用できる
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | Infineon |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| 包装 | 巻き枠 |
| 単位重量 | 0.050717 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | TO-252-3 |
| 技術 | Si |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 構成 | 単一 |
| トランジスター タイプ | 1つのP-Channel |
| Pd力消滅 | 50 W |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 24 ns |
| 立上り時間 | 10 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 1.8 A |
| Vds下水管源故障電圧 | - 400ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 7オーム |
| トランジスター極性 | P-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 25 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 11 ns |
|
チャネル モード |
強化 |
記述
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