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N-CANAL DES VÉHICULES À MOTEUR A du transistor MOSFET 20V-40V de PUISSANCE du transistor MOSFET HEXFET de transistor d'IXFH58N20Q
  • N-CANAL DES VÉHICULES À MOTEUR A du transistor MOSFET 20V-40V de PUISSANCE du transistor MOSFET HEXFET de transistor d'IXFH58N20Q

N-CANAL DES VÉHICULES À MOTEUR A du transistor MOSFET 20V-40V de PUISSANCE du transistor MOSFET HEXFET de transistor d'IXFH58N20Q

Lieu d'origine Appel
Nom de marque IXYS
Certification ROHS
Numéro de modèle IXFH58N20Q
Détails du produit
Nom de produit:
IXFH58N20Q
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
Transistor MOSFET 200V 58A
Paquet:
TO-247
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Transistors - transistors MOSFET
Description de produit

                                                                  N-CANAL DES VÉHICULES À MOTEUR A du transistor MOSFET 20V-40V de PUISSANCE du transistor MOSFET HEXFET de transistor d'IXFH58N20Q 0Fiche technique d'IXFH58N20Q
Détails de produit

Avalanche haut dv/dt évalué, bas Qg de mode d'amélioration de N-canal

Caractéristiques

• IXYS a avancé le bas processus de Qg
• Forfaits standards internationaux
• Basses charge et capacité de porte
- plus facile à conduire
- plus rapidement commutant
• Le bas RDS (dessus)
• La commutation inductive Unclamped (UIS) a évalué
• Les époxydes de moulage rencontrent la classification de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94

Avantages

• Facile à monter
• L'épargne d'espace
• Densité de puissance élevée

Caractéristiques

                                                                  
Attribut Valeur d'attribut
FabricantIXYS
Catégorie de produitPuces d'IC
SérieIXFH58N20
EmballageTube
Unité-poids6500 g
De style du supportPar le trou
Nom commercialHyperFET
TechnologieSI
Nombre-de-canauxLa 1 Manche
ConfigurationSimple
Paquet-casTO-247-3
De type transistor1 N-canal
Palladium-Puissance-dissipation300 W
Température de fonctionnement maximum+ 150 C
Gamme de température de fonctionnement- 55 C
Chute fois13 NS
Temps de montée40 NS
Vgs-Porte-Source-tension20 V
Identification (courant de drain)58 A
Vds-Drain-Source-Panne-tension200 V
RDS-Sur-Drain-Source-résistance40 mOhms
Transistor-polaritéN-canal
Typique Tour Retard fois40 NS
Temps de retard d'ouverture20 NS
Transconductance34 S
Canal-modeAmélioration
 

Descriptions

N-canal 200V 58A (comité technique) 300W (comité technique) par le trou TO-247AD (IXFH)
Transistor MOSFET 200V 58A

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
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: Délai de livraison d'achats de groupe : 30-60 jours ; Délai de livraison général : 20 jours.
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: T/T 30% comme dépôt, et 70% avant la livraison.
Q : Comment acheter vos produits ?
: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

 
 

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