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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | IXYS |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | IXFH58N20Q |
IXFH58N20Qのデータ用紙
プロダクト細部
N-Channelの強化モードなだれ評価される高いdv/dt、低いQg
•IXYSはQg低いプロセスを進めた
•国際規格のパッケージ
•低いゲート充満およびキャパシタンス
- 運転すること容易
- より速く転換する
•低いRDS （）
•Unclamped誘導の切換え（UIS）は評価した
•形成のエポキシはUL 94のV-0燃焼性の分類に会う
•取付けること容易
•スペース セービング
•高い発電密度
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | IXYS |
| 製品カテゴリ | ICの破片 |
| シリーズ | IXFH58N20 |
| 包装 | 管 |
| 単位重量 | 6500 g |
| 土台式 | 穴を通して |
| 商号 | HyperFET |
| 技術 | Si |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 構成 | 単一 |
| パッケージ場合 | TO-247-3 |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| Pd力消滅 | 300 W |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 13 ns |
| 立上り時間 | 40 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 58 A |
| Vds下水管源故障電圧 | 200ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 40のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 40 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 20 ns |
| 相互コンダクタンス | 34 S |
| チャネル モード | 強化 |
記述
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