IXFH58N20Q 데이터 시트
제품 상세정보
N-채널 증가형 쇄도 평가된 높은 것 드프 / dt, 낮은 큐그
오우 IXYS는 낮은 큐그 과정을 진전시킹습니다
오우 국제 기준 계획
오우 낮은 게이트 요금과 전기 용량
- 운전하고 더 쉽게
- 더 빠른 스위칭
오우 낮은 RDS (계속)
오우 풀어진 귀납적 스위칭 (실업 보험 서비스)은 평가되었습니다
오우 몰딩 에폭시는 UL 94 V-0 인화성 분류를 만납니다
증가하도록 쉬운 오우
오우 공간 절약
오우 고출력 밀도
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | IXYS |
상품 카테고리 | IC 칩 |
시리즈 | IXFH58N20 |
패키징 | 튜브 |
단일 가중치 | 6500 G |
증가하는 방식 | 관통 홀 |
상표명 | 히페페트 |
기술 | Si |
채널 수 | 1개 채널 |
구성 | 단일 |
포장 케이스 | TO-247-3 |
트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
Pd 전원 산재 | 300 W |
최대 작업 온도 | + 150 C |
작동 온도 범위 | - 55 C |
낙하 시간 | 13 나노 초 |
오름시간 | 40 나노 초 |
브그스 게이츠 원천 전압 | 20 V |
ID (드레인전류) | 58 A |
Vds 배수 원천 고장 전압 | 200 V |
Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 40 모엠에스 |
트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 40 나노 초 |
턴 온 지연 시간 | 20 나노 초 |
상호컨덕턴스 | 34 S |
채널 모드 | 향상 |
기술
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