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CANAL N AUTOMOTRIZ A del MOSFET 20V-40V del PODER del MOSFET HEXFET del transistor de IXFH58N20Q
  • CANAL N AUTOMOTRIZ A del MOSFET 20V-40V del PODER del MOSFET HEXFET del transistor de IXFH58N20Q

CANAL N AUTOMOTRIZ A del MOSFET 20V-40V del PODER del MOSFET HEXFET del transistor de IXFH58N20Q

Lugar de origen Llamada
Nombre de la marca IXYS
Certificación ROHS
Número de modelo IXFH58N20Q
Detalles de producto
Nombre de producto:
IXFH58N20Q
Condición:
Original 100%
Methodpe de la instalación:
MOSFET 200V 58A
Paquete:
TO-247
Voltaje - fuente:
Estándar internacional
Max. Reverse Current:
Estándar internacional
Uso:
Transistores - MOSFETs
Descripción de producto

                                                                  CANAL N AUTOMOTRIZ A del MOSFET 20V-40V del PODER del MOSFET HEXFET del transistor de IXFH58N20Q 0Ficha técnica de IXFH58N20Q
Detalles del producto

Avalancha alto dv/dt clasificado, Qg bajo del modo del aumento del canal N

Características

• IXYS avanzó el proceso bajo de Qg
• Paquetes estándar internacionales
• Carga y capacitancia bajas de la puerta
- más fácil conducir
- más rápidamente cambiando
• RDS bajo (encendido)
• La transferencia inductiva Unclamped (UIS) valoró
• Los epóxidos que moldean resuelven la clasificación de la inflamabilidad V-0 de la UL 94

Ventajas

• Fácil montar
• Ahorros de espacio
• Densidad de poder más elevado

Especificaciones

                                                                  
Cualidad Valor del atributo
FabricanteIXYS
Categoría de productoChips CI
SerieIXFH58N20
EmpaquetadoTubo
Unidad-peso6500 g
Montaje-estiloA través del agujero
Marca registradaHyperFET
TecnologíaSi
Número-de-canales1 canal
ConfiguraciónSolo
Paquete-casoTO-247-3
Transistor-tipo1 canal N
Paladio-Poder-disipación300 W
Temperatura de funcionamiento máximo+ 150 C
Gama de temperaturas de funcionamiento- 55 C
Caída-tiempo13 ns
Tiempo de formación40 ns
Vgs-Puerta-Fuente-voltaje20 V
Identificación (corriente del dren)58 A
Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje200 V
Rds-En-Dren-Fuente-resistencia40 mOhms
Transistor-polaridadCanal N
Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo40 ns
Tiempo de retraso de abertura20 ns
Transconductancia34 S
Canal-modoAumento
 

Descripciones

Canal N 200V 58A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-247AD (IXFH)
MOSFET 200V 58A

¿Quién somos?
es una sociedad la comercialización electrónica profesional dedicada totalmente a los campos de los semiconductores y de los componentes electrónicos venta y al servicio para los clientes durante 10 años, se especializa en la venta del nuevo y la fábrica inusitada, original selló componentes electrónicos que embalaban. ¡especialícese en IC, diodo, transistor, IGBT, *** del convertidor de DC-DC ..... ha puesto nuestro propio concepto del servicio de las ventas y ha establecido ya sociedades fuertes con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5.000.000 clases de componentes electrónicos para sus opciones, siempre en sus servicios!
FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
: Somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Podemos hacer negocio de OEM/ODM.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
: Plazo de expedición de la compra del grupo: 30-60 días; Plazo de expedición general: 20 días.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
: T/T el 30% como depósito, y el 70% antes de entrega.
Q: ¿Cómo comprar sus productos?
: Usted puede comprar los productos de nuestra compañía directamente. El procedimiento es normalmente muestra el contrato, pago por T/T, entra en contacto con al naviera a la entrega las mercancías a su país.
Q: ¿Cuál es la garantía?
: La garantía libre está a un año a partir del día de Comisión calificado. Si hay cualquier falta para nuestros productos dentro del período de garantía libre, la repararemos y cambiaremos el montaje de la falta gratis.

 
 

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