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Semi-conducteur discret
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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | 2N7002LT1G |
Petits mAmps du transistor MOSFET 115 de signal, 60 volts de N-canal SOT-23
1)Nous déclarons que le matériel du produit conforme avec des conditions de RoHS et halogène libre.
2)L'ESD s'est protégé : 1000V
3)S préfixe pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC-Q101 a qualifié et PPAP capable.
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | onsemi |
| Catégorie de produit | FETs - simples |
| Série | 2N7002L |
| Emballage | Emballage alternatif |
| Unité-poids | 0,050717 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Technologie | SI |
| L'Actionner-température | -55°C | 150°C (TJ) |
| De type support | Bâti extérieur |
| Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | SOT-23-3 (TO-236) |
| Configuration | Simple |
| De type FET | N-canal de transistor MOSFET, oxyde de métal |
| Puissance-maximum | 225mW |
| De type transistor | 1 N-canal |
| VDSS – tension de Drain-source | 60V |
| Capacité d'entrée | 50pF @ 25V |
| FET-caractéristique | Norme |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 115mA (comité technique) |
| RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs | 7,5 ohms @ 500mA, 10V |
| Vgs-Th-Maximum-identification | 2.5V @ 250μA |
| Porte-charge-Qg-Vgs | - |
| Palladium-Puissance-dissipation | 300 mW |
| Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
| Vgs-Porte-Source-tension | 20 V |
| Identification (courant de drain) | 115 mA |
| Vds-Drain-Source-Panne-tension | 60 V |
| RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 7,5 ohms |
| Transistor-polarité | N-canal |
| Typique Tour Retard fois | 40 NS |
| Temps de retard d'ouverture | 20 NS |
| Transconductance | 0,00008 S |
| Canal-mode | Amélioration |
Qui sommes-nous ?
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