MAmps pequenos do MOSFET 115 do sinal, 60 volts de N-canal SOT-23
1)Nós declaramos que o material do produto complacente com exigências de RoHS e halogênio livre.
2)O ESD protegeu: 1000V
3)S prefixo para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC-Q101 qualificou e PPAP capaz.
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | onsemi |
Categoria de produto | FETs - únicos |
Série | 2N7002L |
Empacotamento | Empacotamento alternativo |
Unidade-peso | 0,050717 onças |
Montagem-estilo | SMD/SMT |
Pacote-caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tecnologia | Si |
Operar-temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagem-tipo | Montagem de superfície |
Número--canais | 1 canal |
Fornecedor-Dispositivo-pacote | SOT-23-3 (TO-236) |
Configuração | Único |
FET-tipo | N-canal do MOSFET, óxido de metal |
Poder-máximo | 225mW |
Transistor-tipo | 1 N-canal |
VDSS – tensão da Dreno-fonte | 60V |
Capacidade entrada | 50pF @ 25V |
FET-característica | Padrão |
Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 115mA (Tc) |
RDS-Em-Máximo-identificação-Vgs | 7,5 ohms @ 500mA, 10V |
Vgs-th-Máximo-identificação | 2.5V @ 250μA |
Porta-carga-Qg-Vgs | - |
Paládio-Poder-dissipação | 300 mW |
Temperatura de funcionamento máximo | + 150 C |
Variação da temperatura de funcionamento | - 55 C |
Vgs-Porta-Fonte-tensão | 20 V |
Identificação (corrente do dreno) | 115 miliampères |
Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão | 60 V |
RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência | 7,5 ohms |
Transistor-polaridade | N-canal |
Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo | 40 ns |
Tempo de atraso de ligação | 20 ns |
Transcondutância | 0,00008 S |
Canal-modo | Realce |
Quem nós somos?
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