小さい信号MOSFET 115のmAmps、N-Channel 60ボルトのSOT-23
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2)ESDは保護した:1000V
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| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | onsemi |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| シリーズ | 2N7002L |
| 包装 | 互い違いの包装 |
| 単位重量 | 0.050717 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
| 技術 | Si |
| 作動温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 製造者装置パッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
| 構成 | 単一 |
| FETタイプ | MOSFETのN-Channel、金属酸化物 |
| パワー最高 | 225mW |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| VDSS –下水管源の電圧 | 60V |
| 入れられたキャパシタンス | 50pF @ 25V |
| FET特徴 | 標準 |
| 現在連続的下水管ID25°C | 115mA (Tc) |
| Rds最高IDVgs | 7.5オーム@ 500mA、10V |
| Vgs Th最高ID | 2.5V @ 250μA |
| ゲート充満Qg Vgs | - |
| Pd力消滅 | 300 MW |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
| ID (下水管の流れ) | 115 mA |
| Vds下水管源故障電圧 | 60ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 7.5オーム |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 40 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 20 ns |
| 相互コンダクタンス | 0.00008 S |
| チャネル モード | 強化 |
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