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2N7002LT1GトランジスターMOSFET N-CH 60V 0.115A 3 Pin SOT-23 T/R
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2N7002LT1GトランジスターMOSFET N-CH 60V 0.115A 3 Pin SOT-23 T/R

起源の場所 呼出し
ブランド名 onsemi
証明 ROHS
モデル番号 2N7002LT1G
製品詳細
製品名:
2N7002LT1G
条件:
原物100%
タイプの取付け:
MOSFET
電圧-供給:
標準
最高。逆の流れ:
標準
適用:
トランジスター
製品の説明

                                                                    2N7002LT1GトランジスターMOSFET N-CH 60V 0.115A 3 Pin SOT-23 T/R 02N7002LT1Gデータ用紙

記述

小さい信号MOSFET 115のmAmps、N-Channel 60ボルトのSOT-23

 

特徴

1)私達はとRoHSの条件と迎合的なプロダクトの自由な材料およびハロゲン宣言する。
2)ESDは保護した:1000V
3)S-独特な場所および制御変化の条件を要求する自動車および他の適用のための接頭辞;AEC-Q101は可能なPPAP修飾し。

 

指定

                                       
属性 属性値
製造業者 onsemi
製品カテゴリ 単一FETs -
シリーズ 2N7002L
包装互い違いの包装
単位重量0.050717 oz
土台式 SMD/SMT
パッケージ場合 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
技術Si
作動温度-55°C | 150°C (TJ)
土台タイプ 表面の台紙
数のチャネル 1つのチャネル
製造者装置パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
構成 単一
FETタイプMOSFETのN-Channel、金属酸化物
パワー最高225mW
トランジスター タイプ 1つのN-Channel
VDSS –下水管源の電圧60V
入れられたキャパシタンス 50pF @ 25V
FET特徴標準
現在連続的下水管ID25°C115mA (Tc)
Rds最高IDVgs 7.5オーム@ 500mA、10V
Vgs Th最高ID2.5V @ 250μA
ゲート充満Qg Vgs -
Pd力消滅300 MW
最高使用可能温度+ 150 C
実用温度範囲- 55 C
Vgsゲート源電圧20ボルト
ID (下水管の流れ)115 mA
Vds下水管源故障電圧60ボルト
Rds下水管源抵抗7.5オーム
トランジスター極性 N-Channel
典型的回転遅れ時間 40 ns
Turn-On遅れ時間20 ns
相互コンダクタンス0.00008 S
チャネル モード強化

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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Q:あなたの支払い条件は何であるか。
:沈殿物としてT/T 30%、および配達の前の70%。
Q:あなたのプロダクトを買う方法か。
:私達の会社からのプロダクトを直接買うことができる。通常プロシージャはあなたの国に配達に印契約、T/Tによる支払、連絡する運送会社に商品である。
Q:保証は何であるか。
:自由な保証は修飾される依託の日からの1年ある。自由な保証期間内の私達のプロダクトのための欠陥があれば、私達はそれを修理し、自由のための欠陥アセンブリを変える。

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