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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | onsemi |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | 2N7002LT1G |
소신호 MOSFET 115 맘프스, 60 볼트 엔-채널 SOT-23
1)로에스 요구와 할로겐으로 순응한 제품의 재료가 자유롭게 한다고 우리는 선언합니다.
2)ESD는 보호했습니다 :1000V
3)유니크 사이트와 제어 변환 요구를 요구하는 자동차와 다른 애플리케이션을 위한 Ｓ 접두사 ; 자격 있는 AEC-Q101과 유능한 PPAP.
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 온새미 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 시리즈 | 2N7002L |
| 패키징 | 교대 패키징 |
| 단일 가중치 | 0.050717 온스 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 기술 | Si |
| 작동 온도 | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 공급 툴 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 구성 | 단일 |
| 전계 효과 트랜지스터형 | MOSFET 엔-채널, 금속 산화물 |
| 전원 최대 | 225mW |
| 트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
| VDSS - 드레인-소스 전압 | 60V |
| 입력 커패시턴스 | 25V에 있는 50pF |
| FET 특징 | 표준 |
| Current-Continuous-Drain-Id-25' Ｃ | 115mA (Tc) |
| Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 7.5 500mA, 10V에 있는 오옴 |
| 브그스 -스 최대 ID | 250μA에 있는 2.5V |
| 게이트전하 -큐그 -브그스 | - |
| Pd 전원 산재 | 300 mW |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 20 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 115 마 |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | 60 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 7.5 오옴 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 40 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 20 나노 초 |
| 상호컨덕턴스 | 0.00008 Ｓ |
| 채널 모드 | 향상 |
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