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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | onsemi |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | 2N7002LT1G |
Pequeños mAmps del MOSFET 115 de la señal, 60 voltios de canal N SOT-23
1)Declaramos que el material del producto obediente con los requisitos de RoHS y halógeno libre.
2)El ESD protegió: 1000V
3)S prefijo para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC-Q101 calificó y PPAP capaz.
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | onsemi |
| Categoría de producto | FETs - solos |
| Serie | 2N7002L |
| Empaquetado | Empaquetado alterno |
| Unidad-peso | 0,050717 onzas |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tecnología | Si |
| Actuar-temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje-tipo | Soporte superficial |
| Número-de-canales | 1 canal |
| Proveedor-Dispositivo-paquete | SOT-23-3 (TO-236) |
| Configuración | Solo |
| FET-tipo | Canal N del MOSFET, óxido de metal |
| Poder-máximo | 225mW |
| Transistor-tipo | 1 canal N |
| VDSS – voltaje de la Dren-fuente | 60V |
| Capacitancia entrada | 50pF @ 25V |
| FET-característica | Estándar |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 115mA (Tc) |
| Rds-En-Máximo-identificación-Vgs | 7,5 ohmios @ 500mA, 10V |
| Vgs-th-Máximo-identificación | 2.5V @ 250μA |
| Puerta-carga-Qg-Vgs | - |
| Paladio-Poder-disipación | 300 mW |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55 C |
| Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 20 V |
| Identificación (corriente del dren) | 115 mA |
| Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | 60 V |
| Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 7,5 ohmios |
| Transistor-polaridad | Canal N |
| Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 40 ns |
| Tiempo de retraso de abertura | 20 ns |
| Transconductancia | 0,00008 S |
| Canal-modo | Aumento |
¿Quién somos?
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