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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | Infineon |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | IR2102STRPBF |
Ficha técnica de IR2102STRPBFLos IR2101/IR2102 son MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y los conductores de IGBT con el lado independiente del cielo y tierra se refirieron a los canales de salida. HVIC propietarios y trabar tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.
• Canal de flotación diseñado para la operación del tirante
Completamente - operativo a +600V
Tolerante al voltaje transitorio negativo
dV/dt inmune
• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V
• Cierre del Undervoltage
• la lógica 3.3V, 5V, y 15V entró compatible
• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
• Salidas en fase con las entradas (IR2101) o fuera de
fase con las entradas (IR2102)
Especificaciones
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon |
| Categoría de producto | Conductores de la puerta |
| Serie | - |
| Tipo | Semipuente |
| Empaquetado | Empaquetado alterno de la cinta y del carrete (TR) |
| Unidad-peso | 0,019048 onzas |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | Soporte superficial |
| Actuar-temperatura | 100ns, 50ns |
| Montaje-tipo | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Características | Independiente |
| Proveedor-Dispositivo-paquete | 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m) |
| Resolución-pedazos | 2 |
| Dato-interfaz | Independiente |
| Voltaje-Fuente-análogo | Inversión |
| Voltaje-Fuente-digital | 600V |
| Configuración | Inversión |
| Número-de-ADC-DACs | |
| Sigma-delta | 10 V ~ 20 V |
| S-n-ratio-ADC-DACs-DB-Typ | 0.8V, 3V |
| Dinámico-Gama-ADC-DACs-DB-Typ | 210mA, 360mA |
| Número-de-salidas | 2 salidas |
| Paladio-Poder-disipación | 625 mW |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 125 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 40 C |
| Actuar-Fuente-actual | 270 UA |
| Salida-actual | 360 mA |
| Caída-tiempo | 90 ns |
| Tiempo de formación | 170 ns |
| Fuente-Voltaje-máximo | 20 V |
| Fuente-Voltaje-minuto | 10 V |
| Paquete-caso | SOIC-8 |
| Número-de-conductores | Conductor 2 |
| Máximo-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 50 ns |
| Tiempo de retraso de abertura | 50 ns |
Forma, paquete, componente compatible funcional
| Fabricante Part # | Descripción | Fabricante | Compare |
| IR2102S Conductores e interfaces |
El medio puente basó el conductor del MOSFET, 0.36A, Cmos, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8 | Infineon Technologies AG | IR2102STRPBF contra IR2102S |
| IR2102SPBF Conductores e interfaces |
El medio puente basó el conductor del MOSFET, 0.36A, Cmos, PDSO8, SIN PLOMO, MS-012AA, SOIC-8 | Infineon Technologies AG | IR2102STRPBF contra IR2102SPBF |
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