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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | Infineon |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | IR2102STRPBF |
Fiche technique d'IR2102STRPBFLes IR2101/IR2102 sont transistor MOSFET à haute tension et à grande vitesse de puissance et les conducteurs d'IGBT avec le côté indépendant de ciel et terre ont mis en référence des canaux de sortie. HVIC de propriété industrielle et verrouiller des technologies immunisées de CMOS permettent la construction monolithique robuste. L'entrée de logique est compatible avec la sortie standard de CMOS ou de LSTTL, vers le bas à la logique 3.3V. Les conducteurs de sortie comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix-conduction minimum de conducteur. Le canal de flottement peut être utilisé pour conduire un transistor MOSFET ou un IGBT de puissance de N-canal dans la configuration latérale élevée qui actionne jusqu'à 600 volts.
• Canal de flottement conçu pour l'opération d'amorce
Complètement opérationnel à +600V
Tolérant à la tension passagère négative
dV/dt immunisé
• Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de 10 à 20V
• Lock-out de sousvoltage
• la logique 3.3V, 5V, et 15V a entré compatible
• Retard de propagation assorti pour les deux canaux
• Sorties dans la phase avec les entrées (IR2101) ou hors de
phase avec les entrées (IR2102)
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | Infineon |
| Catégorie de produit | Conducteurs de porte |
| Série | - |
| Type | Moitié-pont |
| Emballage | Emballage alternatif de bande et de bobine (TR) |
| Unité-poids | 0,019048 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | Bâti extérieur |
| L'Actionner-température | 100ns, 50ns |
| De type support | -40°C | 150°C (TJ) |
| Caractéristiques | Indépendant |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
| Résolution-peu | 2 |
| Donnée-interface | Indépendant |
| Tension-Approvisionnement-analogue | Inverser |
| Tension-Approvisionnement-numérique | 600V |
| Configuration | Inverser |
| Nombre-de-CDA-DACs | |
| Sigma-delta | 10 V | 20 V |
| S-n-rapport-CDA-DACs-DB-Typ | 0.8V, 3V |
| Dynamique-Gamme-CDA-DACs-DB-Typ | 210mA, 360mA |
| Nombre-de-sorties | 2 sorties |
| Palladium-Puissance-dissipation | 625 mW |
| Température de fonctionnement maximum | + 125 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 40 C |
| Actionner-Approvisionnement-actuel | 270 uA |
| Sortie-actuel | 360 mA |
| Chute fois | 90 NS |
| Temps de montée | 170 NS |
| Approvisionnement-Tension-maximum | 20 V |
| Approvisionnement-Tension-minute | 10 V |
| Paquet-cas | SOIC-8 |
| Nombre-de-conducteurs | Conducteur 2 |
| Maximum Tour Retard fois | 50 NS |
| Temps de retard d'ouverture | 50 NS |
Forme, paquet, composant compatible fonctionnel
| Fabricant Part # | Description | Fabricant | Comparez |
| IR2102S Conducteurs et interfaces |
Le demi pont a basé le conducteur de transistor MOSFET, 0.36A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8 | Infineon Technologies AG | IR2102STRPBF contre IR2102S |
| IR2102SPBF Conducteurs et interfaces |
Le demi pont a basé le conducteur de transistor MOSFET, 0.36A, CMOS, PDSO8, SANS PLOMB, MS-012AA, SOIC-8 | Infineon Technologies AG | IR2102STRPBF contre IR2102SPBF |
Descriptions
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