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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Infineon |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | IR2102STRPBF |
IR2102STRPBF 데이터 시트IR2101(S)/IR2102(S)는 고전압입니다, 독립적 높고 낮쪽과 고속도 파워 모스펫과 IGBT 운전자가 다중에 참조 사항을 달았습니다. 독점 HVIC과 래치 면역 CMOS 기술은 울퉁불퉁한 단위 구성을 가능하게 합니다. 논리 입력은 3.3V 논리아래로, 표준 cmos 또는 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 출력과 호환 가능합니다. 출력 드라이버는 최소 운전자들 교차 전도를 위해 설계된 펄스고전류 버퍼 스테지를 특징으로 합니다. 보동 채널은 최고 600까지 볼트를 운영하는 높은 측면 구성도에서 엔-채널 파워 모스펫 또는 IGBT를 운전하는데 사용될 수 있습니다.
오우 보동 채널은 부트 스트랩 작동의 설계를 했습니다
+600V에 완전히 사용가능합니다
과도 전압을 부정하도록 관대합니다
면역성인 dV/dt
오우 게이트 드라이브 공급은 10에서 20V의 범위입니다
오우 하측 전압 로크 아웃
입력 호환성 오우 3.3V, 5V, 및 15V 논리
양쪽 채널을 위한 오우 조화된 전달 지연
입력 (IR2101)와 동조하여 또는 밖에 오우 출력의
입력 (IR2102)로 단계적으로 시행하세요
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 인피네온 |
| 상품 카테고리 | 게이트 드라이버 |
| 시리즈 | - |
| 타입 | 하프-브리지 |
| 패키징 | 테이프 & 릴 (TR)는 패키징을 교체합니다 |
| 단일 가중치 | 0.019048 온스 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | 표면 부착 |
| 작동 온도 | 100 나노 초, 50 나노 초 |
| 설치형 | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 특징 | 독립형 |
| 공급 툴 장치 패키지 | 8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭) |
| 결의안 비트 | 2 |
| 데이터 인터패이스 | 독립형 |
| 전압 공급 아날로그 | 뒤집기 |
| 전압 공급 디지털 | 600V |
| 구성 | 뒤집기 |
| -아d스 DACS의 수 | |
| 시그마-델타 | 10 Ｖ ~ 20 Ｖ |
| S-N-라티오-아d스-다크스-드비-티피 | 0.8V, 3V |
| 다이내믹 레인지 -아d스 DACS DB (데시벨) typ | 210mA, 360mA |
| 산출 번호 | 2개 출력 |
| Pd 전원 산재 | 625 mW |
| 최대 작업 온도 | + 125 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 40 Ｃ |
| 운영상 공급 경향 | 270 uA |
| 출력 전류 | 360 마 |
| 낙하 시간 | 90 나노 초 |
| 오름시간 | 170 나노 초 |
| 공급 전압 최대 | 20 Ｖ |
| 공급 전압 분 | 10 Ｖ |
| 포장 케이스 | SOIC-8 |
| 운전자들의 번호 | 2개 드라이버 |
| 최대 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 50 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 50 나노 초 |
형식, 패키지, 기능적 호환 성분
| 제조사 Part# | 기술 | 제조사 | 비교 |
| IR2102S 드라이버와 인터페이스 |
하프 브리지 기반을 둔 MOSFET 운전자들, 0.36A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8 | 인피니언 테크놀러지 AG | IR2102STRPBF 대 IR2102S |
| IR2102SPBF 드라이버와 인터페이스 |
하프 브리지 기반을 둔 MOSFET 운전자들, 0.36A, CMOS, PDSO8, 무연성, MS-012AA, SOIC-8 | 인피니언 테크놀러지 AG | IR2102STRPBF 대 IR2102SPBF |
기술
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