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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Infineon |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | IR2102STRPBF |
IR2102STRPBFのデータ用紙IR2101/IR2102は高圧の、高速力MOSFETであり、独立した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者の交差伝導のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。浮遊チャネルが600ボルトまで作動させる高い側面構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。
•ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
+600Vに完全に機能した
否定的で一時的な電圧に耐久性がある
免疫があるdV/dt
•10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
•不足電圧閉鎖
•3.3V、5Vおよび15V論理は互換性がある入れた
•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
•入力（IR2101）との段階の出力またはからの
入力（IR2102）との段階
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | Infineon |
| 製品カテゴリ | ゲートの運転者 |
| シリーズ | - |
| タイプ | 半橋 |
| 包装 | テープ及び巻き枠（TR）の互い違いの包装 |
| 単位重量 | 0.019048 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | 表面の台紙 |
| 作動温度 | 100ns、50ns |
| 土台タイプ | -40°C | 150°C （TJ） |
| 特徴 | 独立した |
| 製造者装置パッケージ | 8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅） |
| 決断ビット | 2 |
| データ インターフェイス | 独立した |
| 電圧供給アナログ | 逆になること |
| 電圧供給デジタル | 600V |
| 構成 | 逆になること |
| 数のADCsDACs | |
| シグマ デルタ | 10ボルト| 20ボルト |
| S N比率ADCs DACs dbTyp | 0.8V、3V |
| 動的範囲ADCs DACs dbTyp | 210mA、360mA |
| 数の出力 | 2出力 |
| Pd力消滅 | 625 MW |
| 最高使用可能温度 | + 125 C |
| 実用温度範囲 | - 40 C |
| 作動供給現在 | 270のuA |
| 出力現在 | 360 mA |
| 落下時間 | 90 ns |
| 立上り時間 | 170 ns |
| 供給電圧最高 | 20ボルト |
| 供給電圧分 | 10ボルト |
| パッケージ場合 | SOIC-8 |
| 数の運転者 | 2運転者 |
| 最高回転遅れ時間 | 50 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 50 ns |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
| Part#製造業者 | 記述 | 製造業者 | 比較しなさい |
| IR2102S 運転者およびインターフェイス |
半分橋はMOSFETの運転者、0.36A、CMOS、PDSO8、MS-012AA、SOIC-8を基づかせていた | Infineon Technologies AG | IR2102STRPBF対IR2102S |
| IR2102SPBF 運転者およびインターフェイス |
半分橋はMOSFETの運転者、0.36A、CMOS、MS-012AA無鉛、PDSO8 SOIC-8を基づかせていた | Infineon Technologies AG | IR2102STRPBF対IR2102SPBF |
記述
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