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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | ROHM |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | SI7236DP-T1-GE3 |
Ficha técnica SI7236DP-T1-GE3
Detalles del producto
• Halógeno-libre según la definición del IEC 61249-2-21
• MOSFET del poder de TrenchFET®
• Obediente a RoHS 2002/95/EC directivo
• DC/DC
• Poder del sistema del cuaderno
• POLÍTICO
Especificaciones
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ROHM |
| Categoría de producto | FETs - órdenes |
| Serie | TrenchFET® |
| Empaquetado | Empaquetado alterno |
| Parte-alias | SI7236DP-GE3 |
| Unidad-peso | 0,017870 onzas |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | PowerPAKR SO-8 dual |
| Tecnología | Si |
| Actuar-temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje-tipo | Soporte superficial |
| Número-de-canales | Canal 2 |
| Proveedor-Dispositivo-paquete | PowerPAKR SO-8 dual |
| Configuración | Dual |
| FET-tipo | Canal N 2 (dual) |
| Poder-máximo | 46W |
| Transistor-tipo | Canal N 2 |
| VDSS – voltaje de la Dren-fuente | 20V |
| Capacitancia entrada | 4000pF @ 10V |
| FET-característica | Estándar |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 60A |
| Rds-En-Máximo-identificación-Vgs | 5,2 mOhm @ 20.7A, 4.5V |
| Vgs-th-Máximo-identificación | 1.5V @ 250μA |
| Puerta-carga-Qg-Vgs | 105nC @ 10V |
| Paladio-Poder-disipación | 3,5 W |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55 C |
| Caída-tiempo | 22 ns 10 ns |
| Tiempo de formación | 100 ns 15 ns |
| Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 12 V |
| Identificación (corriente del dren) | A 20,7 |
| Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | 20 V |
| Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 5,2 mOhms |
| Transistor-polaridad | Canal N |
| Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 80 ns 60 ns |
| Tiempo de retraso de abertura | 30 ns 10 ns |
| Canal-modo | Aumento |
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: Usted puede comprar los productos de nuestra compañía directamente. El procedimiento es normalmente muestra el contrato, pago por T/T, entra en contacto con al naviera a la entrega las mercancías a su país.
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