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Transistor SI7236DP-T1-GE3 MOSFET-Doppeln-kanal 20 V (D-S) 20V 60A PPAK SO-8
  • Transistor SI7236DP-T1-GE3 MOSFET-Doppeln-kanal 20 V (D-S) 20V 60A PPAK SO-8

Transistor SI7236DP-T1-GE3 MOSFET-Doppeln-kanal 20 V (D-S) 20V 60A PPAK SO-8

Herkunftsort Anruf
Markenname ROHM
Zertifizierung ROHS
Modellnummer SI7236DP-T1-GE3
Produktdetails
Produkt-Name:
SI7236DP-T1-GE3
Bedingung:
Vorlage 100%
Installation methodpe:
N-Kanal-(Doppel-) Oberflächen-Berg -55°C | 150°C (TJ) PowerPAKR SO-8 Doppel-46W TrenchFET® 20V MOSFE
Paket:
PowerPAK® SO-8 Doppel
Spannung - Versorgung:
Internationaler Standard
Max. Reverse Current:
Internationaler Standard
Anwendung:
Transistoren - MOSFETs FETs - Reihen
Produktbeschreibung

                                                                  Transistor SI7236DP-T1-GE3 MOSFET-Doppeln-kanal 20 V (D-S) 20V 60A PPAK SO-8 0Datenblatt SI7236DP-T1-GE3
Produkt-Details

EIGENSCHAFTEN

• Halogen-frei entsprechend Definition Iecs 61249-2-21
• TrenchFET®-Energie MOSFET
• Konform zu RoHS richtungweisendes 2002/95/EC

ANWENDUNGEN

• DC/DC
• Notizbuch-System-Energie
• POL

 

Spezifikationen

                                   
Attribut Attribut-Wert
Hersteller ROHM
Produkt-Kategorie FETs - Reihen
Reihe TrenchFET®
VerpackenAbwechselndes Verpacken
Teil-angenommener NameSI7236DP-GE3
Stückgewicht0,017870 Unze
Montage-ähnlich SMD/SMT
Paket-Fall PowerPAKR SO-8 Doppel
TechnologieSi
Laufen lassen-Temperatur-55°C | 150°C (TJ)
Montage-artig Oberflächenberg
Zahl-von-Kanäle Kanal 2
Lieferant-Gerät-Paket PowerPAKR SO-8 Doppel
Konfiguration Doppel
FET-artigN-Kanal 2 (Doppel)
Macht-maximal46W
Transistor-artig N-Kanal 2
VDSS – Abfluss-Quellspannung20V
Eingegebene Kapazitanz 4000pF @ 10V
FET-EigenschaftStandard
Current-Continuous-Drain-Id-25°C 60A
RDS-Auf-Maximal-Identifikation-Vgs 5,2 mOhm @ 20.7A, 4.5V
Vgs-Th-Maximal-Identifikation1.5V @ 250μA
Tor-Gebühr-Qg-Vgs 105nC @ 10V
PD-Energie-Ableitung3,5 W
Normalbetriebshöchsttemperatur+ 150 C
Betriebstemperaturbereich- 55 C
Abfallzeit22 ns 10 ns
Anlaufzeit100 ns 15 ns
Vgs-Tor-Quelle-Spannung 12 V
Identifikation (Abflussstrom)A 20,7
Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung20 V
RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand 5,2 mOhms
Transistor-Polarität N-Kanal
Typisch-Drehung-Weg-Verzögerung-mal 80 ns 60 ns
Einschaltverzögerungs-Zeit 30 ns 10 ns
Kanal-ModusVerbesserung

Beschreibungen

Oberflächenberg PowerPAK des Mosfet-Reihen-2 N-Kanal-(Doppel) 20V 60A 46W? SO-8 verdoppeln
Transport MOSFET N-CH 20V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
MOSFET 20V 60A 46W 5.2mohm @ 4.5V

Wer sind wir?
ist eine professionelle EDV-Marketing Gesellschaft, die völlig an den Feldern von Halbleitern und von elektronischen Bauelementen Verkauf und Service für Kunden in 10 Jahren teilnimmt, spezialisiert sich, auf, das neue zu verkaufen und unbenutzte, ursprüngliche Fabrik versiegelte verpackende elektronische Bauelemente. spezialisieren Sie sich auf IC, Diode, Transistor, IGBT, DDC ..... *** hat gegründet unsere eigene Verkaufsservice-Konzeption und hat hergestellt bereits starke Partnerschaften mit vielen berühmten Herstellern und wir haben mehr als 5.000.000 Arten elektronische Bauelemente für Ihre Wahlen, immer an Ihren Dienstleistungen!
FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
: Wir sind ursprünglicher Hersteller OF Integrated Circuit Chip. Wir können OEM-/ODMgeschäft tätigen.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
: GruppenkaufLieferfrist: 30-60 Tage; Allgemeine Lieferfrist: 20 Tage.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
: T/T 30% als Ablagerung und 70% vor Lieferung.
Q: Wie man Ihre Produkte kauft?
: Sie können die Produkte von unserer Firma direkt kaufen. Normalerweise ist das Verfahren Zeichen der Vertrag, Zahlung durch T/T, in Verbindung treten mit der Reederei zur Lieferung die Waren zu Ihrem Land.
Q: Was ist die Garantie?
: Die freie Garantie ist ein Jahr vom Tag der Beauftragung qualifiziert. Wenn es irgendeine Störung für unsere Produkte innerhalb des freien Garantiezeitraums gibt, reparieren wir sie und ändern die Störungsversammlung für freies.

 
 

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