Scheda SI7236DP-T1-GE3
Dettagli del prodotto
• senza alogeno secondo la definizione di IEC 61249-2-21
• MOSFET di potere di TrenchFET®
• Compiacente a RoHS 2002/95/EC direttivo
• DC/DC
• Potere del sistema del taccuino
• POLITICO
Specifiche
Attributo | Valore di attributo |
---|---|
Produttore | ROHM |
Categoria di prodotto | FETs - matrici |
Serie | TrenchFET® |
Imballaggio | Imballaggio alterno |
Parziale pseudonimi | SI7236DP-GE3 |
Unità-peso | 0,017870 once |
Stile montaggio | SMD/SMT |
Pacchetto-caso | PowerPAKR SO-8 doppio |
Tecnologia | Si |
Azionare-temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio tipo | Supporto di superficie |
Numero-de-canali | 2 Manica |
Fornitore-Dispositivo-pacchetto | PowerPAKR SO-8 doppio |
Configurazione | Doppio |
FET tipo | 2 N-Manica (doppi) |
Elettrico massimo | 46W |
Transistor tipo | 2 N-Manica |
VDSS – tensione di Scolo-fonte | 20V |
Capacità introdotta | 4000pF @ 10V |
FET-caratteristica | Norma |
Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 60A |
RDS-Su-Massimo-identificazione-Vgs | 5,2 mOhm @ 20.7A, 4.5V |
Vgs-Th-Massimo-identificazione | 1.5V @ 250μA |
Portone-tassa-Qg-Vgs | 105nC @ 10V |
Palladio-Potere-dissipazione | 3,5 W |
Temperatura di funzionamento massima | + 150 C |
Gamma di temperatura di funzionamento | - 55 C |
Tempo caduta | 22 NS 10 NS |
Tempo di salita | 100 NS 15 NS |
Vgs-Portone-Fonte-tensione | 12 V |
Identificazione (corrente dello scolo) | A 20,7 |
Vds-Scolo-Fonte-Ripartizione-tensione | 20 V |
RDS-Su-Scolo-Fonte-resistenza | 5,2 mOhms |
Transistor-polarità | N-Manica |
Tempo tipico | 80 NS 60 NS |
Tempo di ritardo d'apertura | 30 NS 10 NS |
Manica-modo | Potenziamento |
Descrizioni
Chi siamo?
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: La garanzia libera è ad un anno a partire dal giorno di Commissione qualificato. Se c'è qualunque errore per i nostri prodotti durante il periodo libero della garanzia, lo ripareremo e cambieremo l'assemblea dell'errore gratis.
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