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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | ROHM |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | SI7236DP-T1-GE3 |
SI7236DP-T1-GE3 데이터 시트
제품 상세정보
오우 무할로겐 IEC 61249-2-21 정의에 따라
오우 TrenchFET® 파워 모스펫
로에스 지시 2002/95/EC에 순응한 오우
오우 DC / DC
오우 노트북 시스템 전원
오우 POL
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | ROHM |
| 상품 카테고리 | FET - 배열 |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| 패키징 | 교대 패키징 |
| 부분적 가칭 | SI7236DP-GE3 |
| 단일 가중치 | 0.017870 온스 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | 파워파크르 SO-8 듀얼 |
| 기술 | Si |
| 작동 온도 | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 채널 수 | 2개 채널 |
| 공급 툴 장치 패키지 | 파워파크르 SO-8 듀얼 |
| 구성 | 듀얼 |
| 전계 효과 트랜지스터형 | (이원적인) 2 엔-채널 |
| 전원 최대 | 46W |
| 트랜지스터 유형 | 2 엔-채널 |
| VDSS - 드레인-소스 전압 | 20V |
| 입력 커패시턴스 | 10V에 있는 4000pF |
| FET 특징 | 표준 |
| Current-Continuous-Drain-Id-25' Ｃ | 60A |
| Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 5.2 20.7A, 4.5V에 있는 모흠 |
| 브그스 -스 최대 ID | 250μA에 있는 1.5V |
| 게이트전하 -큐그 -브그스 | 10V에 있는 105nC |
| Pd 전원 산재 | 3.5 Ｗ |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 22 나노 초 10 나노 초 |
| 오름시간 | 100 나노 초 15 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 12 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 20.7 A |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | 20 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 5.2 모엠에스 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 80 나노 초 60 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 30 나노 초 10 나노 초 |
| 채널 모드 | 향상 |
기술
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