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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | ROHM |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | SI7236DP-T1-GE3 |
SI7236DP-T1-GE3データ用紙
プロダクト細部
•IEC 61249-2-21定義に従ってハロゲンなし
•TrenchFET®力MOSFET
•RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的
•DC/DC
•ノート システム力
•ポール
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | ROHM |
| 製品カテゴリ | FETs -配列 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 包装 | 互い違いの包装 |
| 一部別名 | SI7236DP-GE3 |
| 単位重量 | 0.017870 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | 二重PowerPAKR SO-8 |
| 技術 | Si |
| 作動温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 数のチャネル | 2チャネル |
| 製造者装置パッケージ | 二重PowerPAKR SO-8 |
| 構成 | 二重 |
| FETタイプ | 2 N-Channel （二重） |
| パワー最高 | 46W |
| トランジスター タイプ | 2 N-Channel |
| VDSS –下水管源の電圧 | 20V |
| 入れられたキャパシタンス | 4000pF @ 10V |
| FET特徴 | 標準 |
| 現在連続的下水管ID25°C | 60A |
| Rds最高IDVgs | 5.2 mOhm @ 20.7A、4.5V |
| Vgs Th最高ID | 1.5V @ 250μA |
| ゲート充満Qg Vgs | 105nC @ 10V |
| Pd力消滅 | 3.5 W |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 22 ns 10 ns |
| 立上り時間 | 100 ns 15 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 12ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 20.7のA |
| Vds下水管源故障電圧 | 20ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 5.2のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 80 ns 60 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 30 ns 10 ns |
| チャネル モード | 強化 |
記述
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