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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | IR |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | IRFH5006TRPBF |
Ficha técnica de IRFH5006TRPBF
Detalles del producto
Características
RDSon bajo (≤ 4.1mΩ)
Resistencia termal baja a PWB (≤ 0.5°C/W)
Rg 100% probó
Perfil bajo (≤ 0,9 milímetros)
Estándar industrial Pinout
Compatible con técnicas superficiales existentes del soporte
RoHS obediente no conteniendo ninguna ventaja, ningún bromuro y ningún halógeno
MSL1, calificación industrial
Pérdidas más bajas de la conducción
Permite una mejor disipación termal
Confiabilidad creciente
Densidad de poder creciente
Compatibilidad del proveedor múltiple
Una fabricación más fácil
Ambientalmente más amistoso
Confiabilidad creciente
• Rectificación síncrona lateral secundaria
• Inversores para los motores de DC
• Usos del ladrillo de DC-DC
• Convertidores del alza
Especificaciones
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | IR |
| Categoría de producto | FETs - solos |
| Empaquetado | Carrete |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | PQFN-8 |
| Tecnología | Si |
| Número-de-canales | 1 canal |
| Configuración | Fuente triple del solo dren del patio |
| Transistor-tipo | 1 canal N |
| Paladio-Poder-disipación | 156 W |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55 C |
| Caída-tiempo | 12 ns |
| Tiempo de formación | 13 ns |
| Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 20 V |
| Identificación (corriente del dren) | 100 A |
| Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | 60 V |
| Vgs-th-Puerta-Fuente-Umbral-voltaje | 2 V |
| Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 4,1 mOhms |
| Transistor-polaridad | Canal N |
| Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 30 ns |
| Tiempo de retraso de abertura | 9,6 ns |
| Qg-Puerta-carga | 69 nC |
| Transconductancia | 92 S |
Descripciones
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