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EP T/R do MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN do transporte do MOSFET do transistor de IRFH5006TRPBF
  • EP T/R do MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN do transporte do MOSFET do transistor de IRFH5006TRPBF

EP T/R do MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN do transporte do MOSFET do transistor de IRFH5006TRPBF

Lugar de origem Chamada
Marca IR
Certificação ROHS
Número do modelo IRFH5006TRPBF
Detalhes do produto
Nome do produto:
IRFH5006TRPBF
Circunstância:
Original 100%
Methodpe da instalação:
MOSFET 100 um canal de SMD/SMT 1 - 55 N-canal 60 V de C PQFN-8 156 W
Pacote:
8-PowerVQFN
Tensão - fonte:
Standard internacional
Máximo Reverso Atual:
Standard internacional
Aplicação:
Transistor - FETs dos MOSFETs - únicos
Descrição do produto

                                                                  EP T/R do MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN do transporte do MOSFET do transistor de IRFH5006TRPBF 0Folha de dados de IRFH5006TRPBF
Detalhes do produto

Características e benefícios

Características
Baixo RDSon (≤ 4.1mΩ)
Baixa resistência térmica a PWB (≤ 0.5°C/W)
Rg 100% testou
Perfil baixo (≤ 0,9 milímetros)
Padrão do setor Pinout
Compatível com técnicas de superfície existentes da montagem
RoHS complacente não contendo nenhuma ligação, nenhum brometo e nenhum halogênio
MSL1, qualificação industrial

Benefícios

Mais baixas perdas da condução
Permite a melhor dissipação térmica
Confiança aumentada
Densidade de poder aumentada
Compatibilidade do Multi-vendedor
Fabricação mais fácil
Ambientalmente mais amigável
Confiança aumentada

Aplicações

• Correção síncrono lateral secundária
• Inversores para os motores da C.C.
• Aplicações do tijolo de DC-DC
• Conversores do impulso

Especificações

                         
Atributo Valor de atributo
Fabricante IR
Categoria de produto FETs - únicos
EmpacotamentoCarretel
Montagem-estilo SMD/SMT
Pacote-caso PQFN-8
TecnologiaSi
Número--canais 1 canal
Configuração Fonte tripla do único dreno do quadrilátero
Transistor-tipo 1 N-canal
Paládio-Poder-dissipação156 W
Temperatura de funcionamento máximo+ 150 C
Variação da temperatura de funcionamento- 55 C
Queda-tempo12 ns
Elevação-tempo13 ns
Vgs-Porta-Fonte-tensão20 V
Identificação (corrente do dreno) 100 A
Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão60 V
Vgs-th-Porta-Fonte-Ponto-tensão2 V
RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência4,1 mOhms
Transistor-polaridade N-canal
Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo 30 ns
Tempo de atraso de ligação9,6 ns
Qg-Porta-carga 69 nC
Transcondutância92 S
 

Descrições

EP T/R do MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN do transporte
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC

Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
FAQ
Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
: Nós somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
Q: Que é seus termos de pagamento?
: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
Q: Como comprar seus produtos?
: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
Q: Que é a garantia?
: A garantia livre está a um ano do dia da comissão qualificado. Se há qualquer falha para nossos produtos dentro do período de garantia livre, nós repará-la-emos e mudá-los-emos o conjunto da falha para livre.

 
 

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