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IRFH5006TRPBFのトランジスターMOSFET TRANS MOSFET N-CH 60V 21A 8 Pin PQFN EP T/R
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IRFH5006TRPBFのトランジスターMOSFET TRANS MOSFET N-CH 60V 21A 8 Pin PQFN EP T/R

起源の場所 呼出し
ブランド名 IR
証明 ROHS
モデル番号 IRFH5006TRPBF
製品詳細
製品名:
IRFH5006TRPBF
条件:
原物100%
設置methodpe:
MOSFET 100 SMD/SMT 1チャネル- 55 C PQFN-8 156 WのN-Channel 60 V
パッケージ:
8-PowerVQFN
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
単一トランジスター- MOSFETsのFETs -
製品の説明

                                                                  IRFH5006TRPBFのトランジスターMOSFET TRANS MOSFET N-CH 60V 21A 8 Pin PQFN EP T/R 0IRFH5006TRPBFのデータ用紙
プロダクト細部

特徴および利点

特徴
低いRDSon (≤ 4.1mΩ)
PCB (≤ 0.5°C/W)への低い熱抵抗
100%のRgはテストした
控えめ(≤ 0.9 mm)
業界標準のPinout
ある表面の台紙の技術と互換性がある
迎合的なRoHS鉛、臭化物およびハロゲンを含んでいない
MSL1の産業資格

利点

より低い伝導の損失
よりよい熱消滅を可能にする
高められた信頼性
増加された出力密度
マルチベンダーの両立性
より容易な製造業
環境的により友好的
高められた信頼性

適用

•二次側面の同期改正
•DCモーターのためのインバーター
•DC-DCの煉瓦塗布
•倍力コンバーター

指定

                         
属性 属性値
製造業者 IR
製品カテゴリ 単一FETs -
包装巻き枠
土台式 SMD/SMT
パッケージ場合 PQFN-8
技術Si
数のチャネル 1つのチャネル
構成 単一のクォードの下水管の三重の源
トランジスター タイプ 1つのN-Channel
Pd力消滅156 W
最高使用可能温度+ 150 C
実用温度範囲- 55 C
落下時間12 ns
立上り時間13 ns
Vgsゲート源電圧20ボルト
ID (下水管の流れ) 100 A
Vds下水管源故障電圧60ボルト
Vgs Thゲート源境界電圧2ボルト
Rds下水管源抵抗4.1のmOhms
トランジスター極性 N-Channel
典型的回転遅れ時間 30 ns
Turn-On遅れ時間9.6 ns
Qgゲート充満 69 NC
相互コンダクタンス92 S
 

記述

TRANS MOSFET N-CH 60V 21A 8 Pin PQFN EP T/R
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC

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