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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | IR |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | IRFH5006TRPBF |
IRFH5006TRPBF 데이터 시트
제품 상세정보
특징
낮은 르드슨 (≤ 4.1mΩ)
PCB (≤ 0.5' C/W)에 대한 저열 저항
100% Rg는 시험을 받았습니다
저자세 (≤ 0.9 밀리미터)
산업표준 핀 배치
현존하는 표면 장착 기술로 적합합니다
순응한 로에스가 어떤 납, 어떤 진정제와 어떤 할로겐도 함유하지 않습니다
MSL1, 산업적 자격
더 낮은 도통 손실
더 좋은 열 소산을 가능하게 합니다
증가된 신뢰도
상승 출력 밀도
다중 공급자 호환성
더 쉬운 제작
환경적으로 친절하게
증가된 신뢰도
오우 2차 측면 동기 정류
직류 전동기를 위한 오우 인버터
오우 DC-DC 벽돌 애플리케이션
오우 부스트 변환기
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | IR |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 패키징 | 릴 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | PQFN-8 |
| 기술 | Si |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 구성 | 한 개의 쿼드 배수 3중 원천 |
| 트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
| Pd 전원 산재 | 156 Ｗ |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 12 나노 초 |
| 오름시간 | 13 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 20 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 100 A |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | 60 Ｖ |
| 브그스 -스 게이츠 원천 한계 전압 | 2 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 4.1 모엠에스 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 30 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 9.6 나노 초 |
| 큐그 게이트 요금 | 69 nC |
| 상호컨덕턴스 | 92 Ｓ |
기술
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