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IRFH5006TRPBF-Transistor MOSFET Transport MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
  • IRFH5006TRPBF-Transistor MOSFET Transport MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

IRFH5006TRPBF-Transistor MOSFET Transport MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

Herkunftsort Anruf
Markenname IR
Zertifizierung ROHS
Modellnummer IRFH5006TRPBF
Produktdetails
Produkt-Name:
IRFH5006TRPBF
Bedingung:
Vorlage 100%
Installation methodpe:
MOSFET 100 ein Kanal SMD/SMT 1 - 55 N-Kanal 60 V C PQFN-8 156 W
Paket:
8-PowerVQFN
Spannung - Versorgung:
Internationaler Standard
Max. Reverse Current:
Internationaler Standard
Anwendung:
Transistoren - MOSFETs FETs - einzeln
Produktbeschreibung

                                                                  IRFH5006TRPBF-Transistor MOSFET Transport MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R 0IRFH5006TRPBF-Datenblatt
Produkt-Details

Eigenschaften und Nutzen

Eigenschaften
Niedriges RDSon (≤ 4.1mΩ)
Niedriger thermischer Widerstand zu PWB (≤ 0.5°C/W)
Rg 100% prüfte
Flach (≤ 0,9 Millimeter)
Industriekompatibles Pinout
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenberg-Techniken
RoHS konform, keine Führung, kein Bromid und kein Halogen enthalten
MSL1, industrielle Qualifikation

Nutzen

Niedrigere Leitungs-Verluste
Ermöglicht besserer thermischer Ableitung
Erhöhte Zuverlässigkeit
Erhöhte Energiedichte
Multi-Verkäufer-Kompatibilität
Einfachere Herstellung
umweltfreundlicher
Erhöhte Zuverlässigkeit

Anwendungen

• Sekundärsynchrone Seitenkorrektur
• Inverter für DC-Motoren
• DC-DC Ziegelstein-Anwendungen
• Auftriebs-Konverter

Spezifikationen

                         
Attribut Attribut-Wert
Hersteller IR
Produkt-Kategorie FETs - einzeln
VerpackenSpule
Montage-ähnlich SMD/SMT
Paket-Fall PQFN-8
TechnologieSi
Zahl-von-Kanäle 1 Kanal
Konfiguration Einzelner Viererkabel-Abfluss-dreifache Quelle
Transistor-artig 1 N-Kanal
PD-Energie-Ableitung156 W
Normalbetriebshöchsttemperatur+ 150 C
Betriebstemperaturbereich- 55 C
Abfallzeit12 ns
Anlaufzeit13 ns
Vgs-Tor-Quelle-Spannung20 V
Identifikation (Abflussstrom) 100 A
Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung60 V
Vgs-Th-Tor-Quelle-Schwelle-Spannung2 V
RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand4,1 mOhms
Transistor-Polarität N-Kanal
Typisch-Drehung-Weg-Verzögerung-mal 30 ns
Einschaltverzögerungs-Zeit9,6 ns
Qg-Tor-Gebühr 69 nC
Transconductance92 S
 

Beschreibungen

Transport MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC

Wer sind wir?
ist eine professionelle EDV-Marketing Gesellschaft, die völlig an den Feldern von Halbleitern und von elektronischen Bauelementen Verkauf und Service für Kunden in 10 Jahren teilnimmt, spezialisiert sich, auf, das neue zu verkaufen und unbenutzte, ursprüngliche Fabrik versiegelte verpackende elektronische Bauelemente. spezialisieren Sie sich auf IC, Diode, Transistor, IGBT, DDC ..... *** hat gegründet unsere eigene Verkaufsservice-Konzeption und hat hergestellt bereits starke Partnerschaften mit vielen berühmten Herstellern und wir haben mehr als 5.000.000 Arten elektronische Bauelemente für Ihre Wahlen, immer an Ihren Dienstleistungen!
FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
: Wir sind ursprünglicher Hersteller OF Integrated Circuit Chip. Wir können OEM-/ODMgeschäft tätigen.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
: GruppenkaufLieferfrist: 30-60 Tage; Allgemeine Lieferfrist: 20 Tage.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
: T/T 30% als Ablagerung und 70% vor Lieferung.
Q: Wie man Ihre Produkte kauft?
: Sie können die Produkte von unserer Firma direkt kaufen. Normalerweise ist das Verfahren Zeichen der Vertrag, Zahlung durch T/T, in Verbindung treten mit der Reederei zur Lieferung die Waren zu Ihrem Land.
Q: Was ist die Garantie?
: Die freie Garantie ist ein Jahr vom Tag der Beauftragung qualifiziert. Wenn es irgendeine Störung für unsere Produkte innerhalb des freien Garantiezeitraums gibt, reparieren wir sie und ändern die Störungsversammlung für freies.

 
 

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