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Semicondutor discreto
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| Lugar de origem | Chamada |
| Marca | Infineon |
| Certificação | ROHS |
| Número do modelo | IPW65R080CFDA |
Folha de dados de IPW65R080CFDA
Detalhes do produto
CoolMOS™ é uma tecnologia revolucionária para MOSFETs de alta tensão do poder, projetada de acordo com o princípio do superjunction (SJ) e aberta caminho por Infineon Technologies. a série de 650V CoolMOS™ CFD combina a experiência do fornecedor principal do MOSFET de SJ com a inovação alta da classe. Os dispositivos resultantes para fornecer todos os benefícios de um MOSFET rápido do interruptor SJ ao oferecer um diodo extremamente rápido e robusto do corpo. Esta combinação de extremamente - as baixas perdas do interruptor, da comutação e da condução junto com o vigor o mais alto fazem aplicações de comutação especialmente ressonantes mais seguros, mais eficientes, isqueiro, e refrigerador
• Diodo ultrarrápido do corpo
• Aspereza muito alta da comutação
• Extremamente - baixas perdas devido a baixo FOM mesmo Rdson*Qg e Eoss
• Fácil de usar/movimentação
• Qualificado de acordo com CEA Q101
• Pacote verde (RoHS complacente), chapeamento Pb-livre, halogênio livre para o molde
composto
650V CoolMOS™ CFDA é projetado para aplicações de comutação.
Especificações
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | INFINEON |
| Categoria de produto | Microplaquetas de IC |
| Série | XPW65R080 |
| Empacotamento | Tubo |
| Parte-pseudônimos | IPW65R080CFDAFKSA1 IPW65R080CFDAXK SP000875806 |
| Unidade-peso | 1,340411 onças |
| Montagem-estilo | Através do furo |
| Pacote-caso | TO-247-3 |
| Tecnologia | Si |
| Número--canais | 1 canal |
| Configuração | Único |
| Transistor-tipo | 1 N-canal |
| Paládio-Poder-dissipação | 391 W |
| Temperatura de funcionamento máximo | + 150 C |
| Variação da temperatura de funcionamento | - 40 C |
| Queda-tempo | 6 ns |
| Elevação-tempo | 18 ns |
| Vgs-Porta-Fonte-tensão | +/- 20 V |
| Identificação (corrente do dreno) | 43,3 A |
| Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão | 650 V |
| Vgs-th-Porta-Fonte-Ponto-tensão | 4 V |
| RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência | 72 mOhms |
| Transistor-polaridade | N-canal |
| Típico-Volta-Fora-Atraso-tempo | 85 ns |
| Tempo de atraso de ligação | 20 ns |
| Qg-Porta-carga | 161 nC |
| Transcondutância | - |
| Canal-modo | Realce |
Descrições
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
FAQ
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: Nós somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
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: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
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: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
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: A garantia livre está a um ano do dia da comissão qualificado. Se há qualquer falha para nossos produtos dentro do período de garantia livre, nós repará-la-emos e mudá-los-emos o conjunto da falha para livre.
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