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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Infineon |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | IPW65R080CFDA |
IPW65R080CFDAのデータ用紙
プロダクト細部
CoolMOS™はsuperjunction （SJ）の主義に従って設計され、インフィニオン・テクノロジーズによって開拓される高圧力のMOSFETsのための革命的な技術である。650V CoolMOS™ CFDシリーズは一流の革新と一流SJ MOSFETの製造者の経験を結合する。非常に速く、強いボディ ダイオードを提供している間生じる装置速い切換えSJ MOSFETのすべての利点を提供するため。最も高い強さとともに極端に低い切換え、代わりおよび伝導の損失のこの組合せは特に共鳴転換の適用、ライターより信頼できる、より有効におよびクーラーをさせる
•超高速ボディ ダイオード
•非常に高い代わりの険しさ
•まさに低いFOM Rdson*QgおよびEossによる極端に低い損失
•使いやすい/ドライブ
•AEC Q101に従って修飾される
•緑のパッケージ（迎合的なRoHS）、Pbなしのめっき、型のために自由なハロゲン
混合物
650V CoolMOS™ CFDAは転換の適用のために設計されている。
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | INFINEON |
| 製品カテゴリ | ICの破片 |
| シリーズ | XPW65R080 |
| 包装 | 管 |
| 一部別名 | IPW65R080CFDAFKSA1 IPW65R080CFDAXK SP000875806 |
| 単位重量 | 1.340411 oz |
| 土台式 | 穴を通して |
| パッケージ場合 | TO-247-3 |
| 技術 | Si |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 構成 | 単一 |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| Pd力消滅 | 391 W |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 40 C |
| 落下時間 | 6 ns |
| 立上り時間 | 18 ns |
| Vgsゲート源電圧 | +/- 20ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 43.3 A |
| Vds下水管源故障電圧 | 650ボルト |
| Vgs Thゲート源境界電圧 | 4ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 72のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 85 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 20 ns |
| Qgゲート充満 | 161 NC |
| 相互コンダクタンス | - |
| チャネル モード | 強化 |
記述
MOSFET N CH 650V 43.3A TO247-3
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