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| Herkunftsort | Anruf |
| Markenname | Infineon |
| Zertifizierung | ROHS |
| Modellnummer | IPW65R080CFDA |
IPW65R080CFDA-Datenblatt
Produkt-Details
CoolMOS™ ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungsenergie MOSFETs, entworfen entsprechend dem superjunction (SJ) Prinzip und durch Infineon Technologies vorangegangen. Reihe 650V CoolMOS™ CFD kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die resultierenden Geräte allen Nutzen eines schnellen Schaltung SJ MOSFET beim Angebot einer extrem schnellen und robusten Körperdiode zur Verfügung stellen. Diese Kombination von extrem - niedrige Schaltungs-, Umwandlungs- und Leitungsverluste zusammen mit höchster Robustheit machen besonders zugeschaltete Resonanzanwendungen zuverlässiger, leistungsfähiger, Feuerzeug und Kühlvorrichtung
• Ultraschnelle Körperdiode
• Sehr hohe Umwandlungsrauhheit
• Extrem - niedrige Verluste wegen niedrigen FOM Rdson*Qg und Eoss
• Bedienungsfreundlich/Antrieb
• Qualifiziert nach Ansicht EGZ Q101
• Grünes Paket (RoHS konform), Pb-freier Überzug, Halogen frei für Form
Mittel
650V CoolMOS™ CFDA ist für zugeschaltete Anwendungen bestimmt.
Spezifikationen
| Attribut | Attribut-Wert |
|---|---|
| Hersteller | INFINEON |
| Produkt-Kategorie | IC-Chips |
| Reihe | XPW65R080 |
| Verpacken | Rohr |
| Teil-angenommener Name | IPW65R080CFDAFKSA1 IPW65R080CFDAXK SP000875806 |
| Stückgewicht | 1,340411 Unze |
| Montage-ähnlich | Durch Loch |
| Paket-Fall | TO-247-3 |
| Technologie | Si |
| Zahl-von-Kanäle | 1 Kanal |
| Konfiguration | Einzeln |
| Transistor-artig | 1 N-Kanal |
| PD-Energie-Ableitung | 391 W |
| Normalbetriebshöchsttemperatur | + 150 C |
| Betriebstemperaturbereich | - 40 C |
| Abfallzeit | 6 ns |
| Anlaufzeit | 18 ns |
| Vgs-Tor-Quelle-Spannung | +/- 20 V |
| Identifikation (Abflussstrom) | 43,3 A |
| Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung | 650 V |
| Vgs-Th-Tor-Quelle-Schwelle-Spannung | 4 V |
| RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand | 72 mOhms |
| Transistor-Polarität | N-Kanal |
| Typisch-Drehung-Weg-Verzögerung-mal | 85 ns |
| Einschaltverzögerungs-Zeit | 20 ns |
| Qg-Tor-Gebühr | 161 nC |
| Transconductance | - |
| Kanal-Modus | Verbesserung |
Beschreibungen
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Wer sind wir?
ist eine professionelle EDV-Marketing Gesellschaft, die völlig an den Feldern von Halbleitern und von elektronischen Bauelementen Verkauf und Service für Kunden in 10 Jahren teilnimmt, spezialisiert sich, auf, das neue zu verkaufen und unbenutzte, ursprüngliche Fabrik versiegelte verpackende elektronische Bauelemente. spezialisieren Sie sich auf IC, Diode, Transistor, IGBT, DDC ..... *** hat gegründet unsere eigene Verkaufsservice-Konzeption und hat hergestellt bereits starke Partnerschaften mit vielen berühmten Herstellern und wir haben mehr als 5.000.000 Arten elektronische Bauelemente für Ihre Wahlen, immer an Ihren Dienstleistungen!
FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
: Wir sind ursprünglicher Hersteller OF Integrated Circuit Chip. Wir können OEM-/ODMgeschäft tätigen.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
: GruppenkaufLieferfrist: 30-60 Tage; Allgemeine Lieferfrist: 20 Tage.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
: T/T 30% als Ablagerung und 70% vor Lieferung.
Q: Wie man Ihre Produkte kauft?
: Sie können die Produkte von unserer Firma direkt kaufen. Normalerweise ist das Verfahren Zeichen der Vertrag, Zahlung durch T/T, in Verbindung treten mit der Reederei zur Lieferung die Waren zu Ihrem Land.
Q: Was ist die Garantie?
: Die freie Garantie ist ein Jahr vom Tag der Beauftragung qualifiziert. Wenn es irgendeine Störung für unsere Produkte innerhalb des freien Garantiezeitraums gibt, reparieren wir sie und ändern die Störungsversammlung für freies.
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