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IPW65R080CFDA 트랜지스터 MOSFET N-치 650V 43.3A TO247-3
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IPW65R080CFDA 트랜지스터 MOSFET N-치 650V 43.3A TO247-3

원래 장소 전화
브랜드 이름 Infineon
인증 ROHS
모델 번호 IPW65R080CFDA
제품 세부 정보
상품 이름:
IPW65R080CFDA
상태:
원형 100%
설치 메소드페:
MOSFET N-치 650V 43.3A TO247-3
패키지:
TO-247
전압 - 공급:
국제 기준
맥스. 역류:
국제 기준
애플리케이션:
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
제품 설명

                                                                  IPW65R080CFDA 트랜지스터 MOSFET N-치 650V 43.3A TO247-3 0IPW65R080CFDA 데이터 시트
제품 상세정보

기술

쿨모스트텀은 원칙 수퍼정션 (SJ)에따르면 설계되고 인피니언 테크놀러지에 의해 개척되는 고전압 파워 모스펫을 위한 혁명적 기술입니다. 650V 쿨모스트텀 CFD 시리즈는 뛰어난 SJ MOSFET 공급자의 경험을 고급의 혁신과 결합합니다. 극단적으로 빠르고 강건한 바디 다이오드를 제공하는 동안 결과 장치는 고속 스위칭 SJ MOSFET의 모든 혜택을 제공합니다. 극단적으로 저스위칭, 교환과 가장 높은 견고성과 함께 도통 손실의 이 조합은 더 믿을 만한 특히 낭랑한 교환 응용, 더 효율적, 가볍고, 냉각기를 만듭니다

특징

오우 초고속 바디 다이오드
오우 매우 높은 교환 거침성
매우 낮은 FOM Rdson*Qg와 에오스 때문의 오우 극단적으로 낮은 손실
/ 드라이브를 사용하기가 쉬운 오우
AEC Q101에 따라 자격 있는 오우
오우 그린 패키지 (순응한 로에스), Pb-프리 도금, 주형을 위한 무독성
합성물

애플리케이션

650V 쿨모스트텀 CFDA는 교환 응용을 위해 설계됩니다.

 

상술

                               
특성 속성 값
제조사 인피네온
상품 카테고리 IC 칩
시리즈 XPW65R080
패키징튜브
부분적 가칭 IPW65R080CFDAFKSA1 IPW65R080CFDAXK SP000875806
단일 가중치1.340411 온스
증가하는 방식 관통 홀
포장 케이스 TO-247-3
기술Si
채널 수 1개 채널
구성 단일
트랜지스터 유형 1 엔-채널
Pd 전원 산재391 W
최대 작업 온도+ 150 C
작동 온도 범위- 40 C
낙하 시간6 나노 초
오름시간18 나노 초
브그스 게이츠 원천 전압 +/- 20 V
ID (드레인전류)43.3 A
Vds 배수 원천 고장 전압650 V
브그스 -스 게이츠 원천 한계 전압4 V
Rds 계속되는 배수 원천 저항72 모엠에스
트랜지스터 극성 엔-채널
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 85 나노 초
턴 온 지연 시간20 나노 초
큐그 게이트 요금161 nC
상호컨덕턴스-
채널 모드향상
 

기술

 

MOSFET N-치 650V 43.3A TO247-3

 

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