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| Luogo di origine | Chiamata |
| Marca | Infineon |
| Certificazione | ROHS |
| Numero di modello | IPW65R080CFDA |
Scheda di IPW65R080CFDA
Dettagli del prodotto
CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFETs ad alta tensione di potere, progettata secondo il principio di superjunction (SJ) e pionieristica a da Infineon Technologies. la serie di 650V CoolMOS™ CFD combina l'esperienza nel fornitore principale del MOSFET di SJ con innovazione di alta classe. I dispositivi risultanti fornire tutti i benefici di un MOSFET veloce di commutazione SJ mentre offrendo un diodo estremamente veloce e robusto del corpo. Questa combinazione di estremamente - le perdite basse di commutazione, di commutazione e della conduzione insieme all'più alta robustezza rendono particolarmente le applicazioni di commutazione sonore più affidabili, più efficienti, l'accendino ed il dispositivo di raffreddamento
• Diodo ultraveloce del corpo
• Irregolarità molto alta di commutazione
• Estremamente - perdite basse dovuto FOM basso stesso Rdson*Qg e Eoss
• Di facile impiego/azionamento
• Qualificato secondo CEA Q101
• Pacchetto verde (RoHS compiacente), placcatura senza Pb, alogeno libero per la muffa
composto
650V CoolMOS™ CFDA è progettato per le applicazioni di commutazione.
Specifiche
| Attributo | Valore di attributo |
|---|---|
| Produttore | INFINEON |
| Categoria di prodotto | Chip di IC |
| Serie | XPW65R080 |
| Imballaggio | Metropolitana |
| Parziale pseudonimi | IPW65R080CFDAFKSA1 IPW65R080CFDAXK SP000875806 |
| Unità-peso | 1,340411 once |
| Stile montaggio | Attraverso il foro |
| Pacchetto-caso | TO-247-3 |
| Tecnologia | Si |
| Numero-de-canali | 1 Manica |
| Configurazione | Singolo |
| Transistor tipo | 1 N-Manica |
| Palladio-Potere-dissipazione | 391 W |
| Temperatura di funzionamento massima | + 150 C |
| Gamma di temperatura di funzionamento | - 40 C |
| Tempo caduta | 6 NS |
| Tempo di salita | 18 NS |
| Vgs-Portone-Fonte-tensione | +/- 20 V |
| Identificazione (corrente dello scolo) | 43,3 A |
| Vds-Scolo-Fonte-Ripartizione-tensione | 650 V |
| Vgs-Th-Portone-Fonte-Soglia-tensione | 4 V |
| RDS-Su-Scolo-Fonte-resistenza | 72 mOhms |
| Transistor-polarità | N-Manica |
| Tempo tipico | 85 NS |
| Tempo di ritardo d'apertura | 20 NS |
| Qg-Portone-tassa | 161 nC |
| Transconduttanza | - |
| Manica-modo | Potenziamento |
Descrizioni
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Chi siamo?
è una società professionale della commercializzazione elettronica interamente impegnata nei campi dei semiconduttori e dei componenti elettronici vendita e nel servizio per i clienti in 10 anni, si specializza nella vendita del nuovo e la fabbrica inutilizzata e originale ha sigillato i componenti elettronici di imballaggio. specializzi in IC, il diodo, il transistor, IGBT, *** del convertitore cc-cc ..... ha installato la nostra propria concezione di servizio di vendite e già ha stabilito le forti associazioni con molti produttori famosi ed abbiamo più di 5.000.000 generi di componenti elettronici per le vostre scelte, sempre ai vostri servizi!
FAQ
Q: È voi società per azioni o il produttore?
: Siamo produttore originale OF Integrated Circuit Chip. Possiamo fare l'affare di OEM/ODM.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
: Termine di consegna di acquisto del gruppo: 30-60 giorni; Termine di consegna generale: 20 giorni.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
: T/T 30% come deposito e 70% prima della consegna.
Q: Come comprare i vostri prodotti?
: Potete comprare direttamente i prodotti dalla nostra società. La procedura è normalmente segno il contratto, pagamento da T/T, contatta la compagnia di spedizioni alla consegna le merci al vostro paese.
Q: Che cosa è la garanzia?
: La garanzia libera è ad un anno a partire dal giorno di Commissione qualificato. Se c'è qualunque errore per i nostri prodotti durante il periodo libero della garanzia, lo ripareremo e cambieremo l'assemblea dell'errore gratis.
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