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Semi-conducteur discret
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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | NTK3139PT1G |
Fiche technique de NTK3139PT1G
Détails de produit
Transistor MOSFET −20 V, −780 mA, P−Channel simple avec la protection d'ESD, SOT−723 de puissance
• Commutateur de P−channel avec le bas RDS (dessus)
• Une plus petite empreinte de pas et 38% de 44% plus minces que SC−89
• Seuils d'avertissement bas permettant l'estimation de 1,5 V le RDS (sur)
• Fonctionné à la basse commande de porte de niveau de logique
• Ce sont des dispositifs de Pb−Free
• Commutation de charge/puissance
• Connectant, communication logique
• Gestion de batterie pour l'électronique portative ultra petite
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | onsemi |
| Catégorie de produit | Puces d'IC |
| Série | NTK3139P |
| Emballage | Emballage alternatif |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | SOT-723 |
| Technologie | SI |
| L'Actionner-température | -55°C | 150°C (TJ) |
| De type support | Bâti extérieur |
| Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | SOT-723 |
| Configuration | Simple |
| De type FET | P-canal de transistor MOSFET, oxyde de métal |
| Puissance-maximum | 310mW |
| De type transistor | 1 P-canal |
| VDSS – tension de Drain-source | 20V |
| Capacité d'entrée | 170pF @ 16V |
| FET-caractéristique | Porte de niveau de logique |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 660mA (ventres) |
| RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs | 480 mOhm @ 780mA, 4.5V |
| Vgs-Th-Maximum-identification | 1.2V @ 250μA |
| Porte-charge-Qg-Vgs | - |
| Palladium-Puissance-dissipation | 310 mW |
| Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
| Chute fois | 5,8 NS |
| Temps de montée | 5,8 NS |
| Vgs-Porte-Source-tension | 6 V |
| Identification (courant de drain) | - 780 mA |
| Vds-Drain-Source-Panne-tension | - 20 V |
| RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 380 mOhms |
| Transistor-polarité | P-canal |
| Typique Tour Retard fois | 32,7 NS |
| Temps de retard d'ouverture | 9 NS |
| Transconductance | 1,2 S |
| Canal-mode | Amélioration |
Descriptions
Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
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