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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | onsemi |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | NTK3139PT1G |
NTK3139PT1Gのデータ用紙
プロダクト細部
力MOSFET −20 V、−780 mA、ESDの保護の単一のP−Channel、SOT−723
•低いRDSのP−channelスイッチ（）
•SC−89より薄い44%の小さい足跡および38%
•低い閾値1.5ボルトRDSの（で）評価を許可する
•低い論理のレベルのゲート ドライブで作動させる
•これらはPb−Free装置である
•負荷/力の切換え
•インターフェイスする、論理切換え
•超小さい携帯用電子工学のための電池管理
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | onsemi |
| 製品カテゴリ | ICの破片 |
| シリーズ | NTK3139P |
| 包装 | 互い違いの包装 |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | SOT-723 |
| 技術 | Si |
| 作動温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 製造者装置パッケージ | SOT-723 |
| 構成 | 単一 |
| FETタイプ | MOSFETのP-Channel、金属酸化物 |
| パワー最高 | 310mW |
| トランジスター タイプ | 1つのP-Channel |
| VDSS –下水管源の電圧 | 20V |
| 入れられたキャパシタンス | 170pF @ 16V |
| FET特徴 | 論理のレベルのゲート |
| 現在連続的下水管ID25°C | 660mA （Ta） |
| Rds最高IDVgs | 480 mOhm @ 780mA、4.5V |
| Vgs Th最高ID | 1.2V @ 250μA |
| ゲート充満Qg Vgs | - |
| Pd力消滅 | 310 MW |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 5.8 ns |
| 立上り時間 | 5.8 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 6ボルト |
| ID （下水管の流れ） | - 780 mA |
| Vds下水管源故障電圧 | - 20ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 380のmOhms |
| トランジスター極性 | P-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 32.7 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 9 ns |
| 相互コンダクタンス | 1.2 S |
| チャネル モード | 強化 |
記述
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