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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | onsemi |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | NTK3139PT1G |
NTK3139PT1G 데이터 시트
제품 상세정보
전원 MOSFET -20 Ｖ, -780 마, ESD 보호와 한 개의 P-채널, SOT-723
낮은 RDS와 오우 P-채널 스위치 (계속)
오우 44% 더 작은 발자국과 SC-89 보다 더 가는 38%
등급 (의) 1.5 Ｖ RDS를 허락하는 오우 낮은 임계치 레벨
로우 로직 레벨 게이트 드라이브에 운영된 오우
오우 이것들이 Pb-프리 장치입니다
오우 부하 / 전력스위칭
오우 인터페이싱, 논리 스위칭
극단적 작은 휴대용 전자제품을 위한 오우 배터리 관리
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 온새미 |
| 상품 카테고리 | IC 칩 |
| 시리즈 | NTK3139P |
| 패키징 | 교대 패키징 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | SOT-723 |
| 기술 | Si |
| 작동 온도 | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 공급 툴 장치 패키지 | SOT-723 |
| 구성 | 단일 |
| 전계 효과 트랜지스터형 | MOSFET P-채널, 금속 산화물 |
| 전원 최대 | 310mW |
| 트랜지스터 유형 | 1 P-채널 |
| VDSS - 드레인-소스 전압 | 20V |
| 입력 커패시턴스 | 16V에 있는 170pF |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이츠 |
| Current-Continuous-Drain-Id-25' Ｃ | 660mA (Ta) |
| Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 780mA, 4.5V에 있는 480 모흠 |
| 브그스 -스 최대 ID | 250μA에 있는 1.2V |
| 게이트전하 -큐그 -브그스 | - |
| Pd 전원 산재 | 310 mW |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 5.8 나노 초 |
| 오름시간 | 5.8 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 6 Ｖ |
| ID (드레인전류) | - 780 마 |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | - 20 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 380 모엠에스 |
| 트랜지스터 극성 | P-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 32.7 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 9 나노 초 |
| 상호컨덕턴스 | 1.2 Ｓ |
| 채널 모드 | 향상 |
기술
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