Scheda di NTK3139PT1G
Dettagli del prodotto
MOSFET −20 V, −780 mA, singolo P−Channel con protezione di ESD, SOT−723 di potere
• Commutatore di P−channel con RDS basso (sopra)
• Più piccola orma e 38% di 44% più sottili di SC−89
• Bassi livelli della soglia permettendo una valutazione di 1,5 V RDS (su)
• Funzionato all'azionamento basso del portone del livello logico
• Questi sono dispositivi di Pb−Free
• Carichi/commutazione di potenza
• Collegando, commutazione di logica
• Gestione della batteria per elettronica portatile ultra piccola
Specifiche
Attributo | Valore di attributo |
---|---|
Produttore | onsemi |
Categoria di prodotto | Chip di IC |
Serie | NTK3139P |
Imballaggio | Imballaggio alterno |
Stile montaggio | SMD/SMT |
Pacchetto-caso | SOT-723 |
Tecnologia | Si |
Azionare-temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio tipo | Supporto di superficie |
Numero-de-canali | 1 Manica |
Fornitore-Dispositivo-pacchetto | SOT-723 |
Configurazione | Singolo |
FET tipo | P-Manica del MOSFET, ossido di metallo |
Elettrico massimo | 310mW |
Transistor tipo | 1 P-Manica |
VDSS – tensione di Scolo-fonte | 20V |
Capacità introdotta | 170pF @ 16V |
FET-caratteristica | Portone del livello logico |
Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 660mA (tum) |
RDS-Su-Massimo-identificazione-Vgs | 480 mOhm @ 780mA, 4.5V |
Vgs-Th-Massimo-identificazione | 1.2V @ 250μA |
Portone-tassa-Qg-Vgs | - |
Palladio-Potere-dissipazione | 310 Mw |
Temperatura di funzionamento massima | + 150 C |
Gamma di temperatura di funzionamento | - 55 C |
Tempo caduta | 5,8 NS |
Tempo di salita | 5,8 NS |
Vgs-Portone-Fonte-tensione | 6 V |
Identificazione (corrente dello scolo) | - 780 mA |
Vds-Scolo-Fonte-Ripartizione-tensione | - 20 V |
RDS-Su-Scolo-Fonte-resistenza | 380 mOhms |
Transistor-polarità | P-Manica |
Tempo tipico | 32,7 NS |
Tempo di ritardo d'apertura | 9 NS |
Transconduttanza | 1,2 S |
Manica-modo | Potenziamento |
Descrizioni
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