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Ohm 620V 1,7 3.8A SuperMESH 3 du transistor MOSFET N-ch du transistor STF4N62K3
  • Ohm 620V 1,7 3.8A SuperMESH 3 du transistor MOSFET N-ch du transistor STF4N62K3

Ohm 620V 1,7 3.8A SuperMESH 3 du transistor MOSFET N-ch du transistor STF4N62K3

Lieu d'origine Appel
Nom de marque STMicroelectronics
Certification ROHS
Numéro de modèle STF4N62K3
Détails du produit
Nom de produit:
STF4N62K3
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
Transistor MOSFET 3,8 A par la Manche du trou 1 - 55 N-canal 620 V de C TO-220-3 25 W
Paquet:
Plein paquet TO-220-3
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Transistors - FETs de transistors MOSFET - simples
Description de produit

                                                                  Ohm 620V 1,7 3.8A SuperMESH 3 du transistor MOSFET N-ch du transistor STF4N62K3 0Fiche technique STF4N62K3
Détails de produit

Description

Ces transistors MOSFET de puissance de SuperMESH3™ sont le résultat des améliorations appliquées à la technologie de SuperMESH™ de STMicroelectronics, combinée avec une nouvelle structure verticale optimisée. Ces dispositifs revendiquent extrêmement - un bas onresistance, une représentation dynamique supérieure et une capacité élevée d'avalanche, les rendant appropriés aux applications les plus exigeantes.

Caractéristiques

l'avalanche 100% a examiné
■Capacité extrêmement élevée de dv/dt
■Charge de porte réduite au minimum
■Capacité intrinsèque très basse
■Caractéristiques inverses améliorées de récupération de diode
■Zener-protégé

 

Applications

Applications de changement

Caractéristiques

                         
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie de produit FETs - simples
Série N-canal MDmesh
EmballageTube
Unité-poids0,011640 onces
De style du support Par le trou
Paquet-cas TO-220-3
TechnologieSI
Nombre-de-canaux La 1 Manche
Configuration Simple
De type transistor 1 N-canal
Palladium-Puissance-dissipation25 W
Température de fonctionnement maximum+ 150 C
Gamme de température de fonctionnement- 55 C
Chute fois 19 NS
Temps de montée9 NS
Vgs-Porte-Source-tension30 V
Identification (courant de drain) 3,8 A
Vds-Drain-Source-Panne-tension620 V
RDS-Sur-Drain-Source-résistance2 ohms
Transistor-polarité N-canal
Typique Tour Retard fois 29 NS
Temps de retard d'ouverture10 NS
Qg-Porte-charge22 OR
Canal-modeAmélioration

Descriptions

N-canal 620V 3.8A (comité technique) 25W (comité technique) par le trou TO-220FP
Tube du transistor MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP de transport
Ohm 620V 1,7 3.8A SuperMESH 3 du transistor MOSFET N-ch

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
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: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
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: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
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: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

 
 

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