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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | STMicroelectronics |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | STF4N62K3 |
STF4N62K3 데이터 시트
제품 상세정보
이러한 SuperMESH3TM 파워 모스펫은 새로운 최적화된 수직 구조에 결합되는 ST마이크로일렉트로닉스의 슈퍼메쉬티엠 기술에 적용된 개선의 결과입니다. 그들을 가장 요구가 지나친 응용에 적합하게 하면서, 이러한 장치는 극단적으로 낮은 온리지스턴스, 뛰어난 동적 성능과 높은 쇄도 능력을 자랑합니다.
시험된 ■ 100% 쇄도
■ 극단적으로 높은 드프 / dt 역량
■ 게이트전하는 최소로 했습니다
■ 매우 낮은 고유 커패시턴스
■ 개선된 다이오드는 회복 특성을 역으로 돌립니다
보호된 ■ 제너
■ 교환 응용
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 시리즈 | 엔-채널 마드메쉬 |
| 패키징 | 튜브 |
| 단일 가중치 | 0.011640 온스 |
| 증가하는 방식 | 관통 홀 |
| 포장 케이스 | TO-220-3 |
| 기술 | Si |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 구성 | 단일 |
| 트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
| Pd 전원 산재 | 25 Ｗ |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 19 나노 초 |
| 오름시간 | 9 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 30 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 3.8 A |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | 620 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 2 오옴 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 29 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 10 나노 초 |
| 큐그 게이트 요금 | 22 nC |
| 채널 모드 | 향상 |
기술
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