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Ohmio 620V 1,7 3.8A del MOSFET N-Ch del transistor STF4N62K3 SuperMESH 3
  • Ohmio 620V 1,7 3.8A del MOSFET N-Ch del transistor STF4N62K3 SuperMESH 3

Ohmio 620V 1,7 3.8A del MOSFET N-Ch del transistor STF4N62K3 SuperMESH 3

Lugar de origen Llamada
Nombre de la marca STMicroelectronics
Certificación ROHS
Número de modelo STF4N62K3
Detalles de producto
Nombre de producto:
STF4N62K3
Condición:
Original 100%
Methodpe de la instalación:
MOSFET 3,8 A a través del canal del agujero 1 - 55 canal N 620 V de C TO-220-3 25 W
Paquete:
Paquete completo TO-220-3
Voltaje - fuente:
Estándar internacional
Max. Reverse Current:
Estándar internacional
Uso:
Transistores - FETs de los MOSFETs - solos
Descripción de producto

                                                                  Ohmio 620V 1,7 3.8A del MOSFET N-Ch del transistor STF4N62K3 SuperMESH 3 0Ficha técnica STF4N62K3
Detalles del producto

Descripción

Estos MOSFETs del poder de SuperMESH3™ son el resultado de las mejoras aplicadas a la tecnología de SuperMESH™ de STMicroelectronics, combinada con una nueva estructura vertical optimizada. Estos dispositivos se jactan extremadamente - un onresistance bajo, un funcionamiento dinámico superior y una alta capacidad de la avalancha, haciéndolos convenientes para los usos más exigentes.

Características

la avalancha 100% probó
■Capacidad extremadamente alta de dv/dt
■Carga de la puerta minimizada
■Capacitancia intrínseca muy baja
■Características reversas mejoradas de la recuperación del diodo
■Zener-protegido

 

Usos

Usos que cambian

Especificaciones

                         
Cualidad Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto FETs - solos
Serie Canal N MDmesh
EmpaquetadoTubo
Unidad-peso0,011640 onzas
Montaje-estilo A través del agujero
Paquete-caso TO-220-3
TecnologíaSi
Número-de-canales 1 canal
Configuración Solo
Transistor-tipo 1 canal N
Paladio-Poder-disipación25 W
Temperatura de funcionamiento máximo+ 150 C
Gama de temperaturas de funcionamiento- 55 C
Caída-tiempo 19 ns
Tiempo de formación9 ns
Vgs-Puerta-Fuente-voltaje30 V
Identificación (corriente del dren) 3,8 A
Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje620 V
Rds-En-Dren-Fuente-resistencia2 ohmios
Transistor-polaridad Canal N
Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo 29 ns
Tiempo de retraso de abertura10 ns
Qg-Puerta-carga22 nC
Canal-modoAumento

Descripciones

Canal N 620V 3.8A (Tc) 25W (Tc) a través del agujero TO-220FP
Tubo del MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP del transporte
Ohmio 620V 1,7 3.8A del MOSFET N-Ch SuperMESH 3

¿Quién somos?
es una sociedad la comercialización electrónica profesional dedicada totalmente a los campos de los semiconductores y de los componentes electrónicos venta y al servicio para los clientes durante 10 años, se especializa en la venta del nuevo y la fábrica inusitada, original selló componentes electrónicos que embalaban. ¡especialícese en IC, diodo, transistor, IGBT, *** del convertidor de DC-DC ..... ha puesto nuestro propio concepto del servicio de las ventas y ha establecido ya sociedades fuertes con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5.000.000 clases de componentes electrónicos para sus opciones, siempre en sus servicios!
FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
: Somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Podemos hacer negocio de OEM/ODM.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
: Plazo de expedición de la compra del grupo: 30-60 días; Plazo de expedición general: 20 días.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
: T/T el 30% como depósito, y el 70% antes de entrega.
Q: ¿Cómo comprar sus productos?
: Usted puede comprar los productos de nuestra compañía directamente. El procedimiento es normalmente muestra el contrato, pago por T/T, entra en contacto con al naviera a la entrega las mercancías a su país.
Q: ¿Cuál es la garantía?
: La garantía libre está a un año a partir del día de Comisión calificado. Si hay cualquier falta para nuestros productos dentro del período de garantía libre, la repararemos y cambiaremos el montaje de la falta gratis.

 
 

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