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STF4N62K3トランジスターMOSFET N CHの620V 1.7オーム3.8A SuperMESH 3
  • STF4N62K3トランジスターMOSFET N CHの620V 1.7オーム3.8A SuperMESH 3

STF4N62K3トランジスターMOSFET N CHの620V 1.7オーム3.8A SuperMESH 3

起源の場所 呼出し
ブランド名 STMicroelectronics
証明 ROHS
モデル番号 STF4N62K3
製品詳細
製品名:
STF4N62K3
条件:
原物100%
設置methodpe:
穴1チャネル- 55 C TO-220-3 25 WのN-Channel 620 Vを通したMOSFET 3.8 A
パッケージ:
TO-220-3完全なパック
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
単一トランジスター- MOSFETsのFETs -
製品の説明

                                                                  STF4N62K3トランジスターMOSFET N CHの620V 1.7オーム3.8A SuperMESH 3 0STF4N62K3データ用紙
プロダクト細部

記述

これらのSuperMESH3™力のMOSFETsは新しい最大限に活用された縦の構造と結合されるSTMicroelectronicsのSuperMESH™の技術に適用される改善の結果である。これらの装置はそれらを最もデマンドが高い適用のために適したする極端に低いonresistance、優秀な動的パフォーマンスおよび高いなだれの機能を自慢する。

特徴

100%のなだれはテストした
■非常に高いdv/dtの機能
■最小になるゲート充満
■非常に低く本質的なキャパシタンス
■改善されたダイオードの逆の回復特徴
■Zener保護される

 

適用

転換の適用

指定

                         
属性 属性値
製造業者 STMicroelectronics
製品カテゴリ 単一FETs -
シリーズ N-channel MDmesh
包装
単位重量0.011640 oz
土台式 穴を通して
パッケージ場合 TO-220-3
技術Si
数のチャネル 1つのチャネル
構成 単一
トランジスター タイプ 1つのN-Channel
Pd力消滅25 W
最高使用可能温度+ 150 C
実用温度範囲- 55 C
落下時間 19 ns
立上り時間9 ns
Vgsゲート源電圧30ボルト
ID (下水管の流れ) 3.8 A
Vds下水管源故障電圧620ボルト
Rds下水管源抵抗2オーム
トランジスター極性 N-Channel
典型的回転遅れ時間 29 ns
Turn-On遅れ時間10 ns
Qgゲート充満22 NC
チャネル モード強化

記述

N-Channel 620V 3.8A (穴TO-220FPを通したTc) 25W (Tc)
TRANS MOSFET N-CH 620V 3.8A 3 Pin (3+Tab) TO-220FPの管
MOSFET N CHの620V 1.7オーム3.8A SuperMESH 3

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