STF4N62K3データ用紙
プロダクト細部
これらのSuperMESH3™力のMOSFETsは新しい最大限に活用された縦の構造と結合されるSTMicroelectronicsのSuperMESH™の技術に適用される改善の結果である。これらの装置はそれらを最もデマンドが高い適用のために適したする極端に低いonresistance、優秀な動的パフォーマンスおよび高いなだれの機能を自慢する。
■100%のなだれはテストした
■非常に高いdv/dtの機能
■最小になるゲート充満
■非常に低く本質的なキャパシタンス
■改善されたダイオードの逆の回復特徴
■Zener保護される
■転換の適用
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | STMicroelectronics |
製品カテゴリ | 単一FETs - |
シリーズ | N-channel MDmesh |
包装 | 管 |
単位重量 | 0.011640 oz |
土台式 | 穴を通して |
パッケージ場合 | TO-220-3 |
技術 | Si |
数のチャネル | 1つのチャネル |
構成 | 単一 |
トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
Pd力消滅 | 25 W |
最高使用可能温度 | + 150 C |
実用温度範囲 | - 55 C |
落下時間 | 19 ns |
立上り時間 | 9 ns |
Vgsゲート源電圧 | 30ボルト |
ID (下水管の流れ) | 3.8 A |
Vds下水管源故障電圧 | 620ボルト |
Rds下水管源抵抗 | 2オーム |
トランジスター極性 | N-Channel |
典型的回転遅れ時間 | 29 ns |
Turn-On遅れ時間 | 10 ns |
Qgゲート充満 | 22 NC |
チャネル モード | 強化 |
記述
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