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Semi-conducteur discret
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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | Toshiba |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | DMC2038LVT-7 |
Ce transistor MOSFET a été conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état (le RDS (DESSUS)) mais maintenir la représentation de changement supérieure, le rendant idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.
• Basse Sur-résistance
• Basse capacité d'entrée
• Vitesse de changement rapide
• Basse fuite d'entrée-sortie
• Vitesse de changement rapide
• Totalement sans plomb et entièrement RoHS conformes (notes 1 et 2)
• Halogène et antimoine libres. Dispositif « vert » (note 3)
• Qualifié aux normes AEC-Q101 pour la fiabilité élevée
• Contrôle de moteur
• Fonctions de gestion de puissance
• Convertisseurs de DC-DC
• Contre-jour
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | Diodes incorporées |
| Catégorie de produit | FETs - rangées |
| Fabricant | Diodes incorporées |
| Produit-catégorie | Transistor MOSFET |
| RoHS | Détails |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | TSOT-23-6 |
| Nombre-de-canaux | La Manche 2 |
| Transistor-polarité | P-canal de N-canal |
| Vds-Drain-Source-Panne-tension | 20 V |
| Identification-Continu-Drain-actuel | 4,5 A |
| RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 35 mOhms 74 mOhms |
| Vgs-Porte-Source-tension | 12 V |
| Qg-Porte-charge | 5,7 OR 7 OR |
| La Maximum-Actionner-température | + 150 C |
| Technologie | SI |
| Emballage | Bobine |
| Canal-mode | Amélioration |
| Marque | Diodes incorporées |
| Configuration | 1 P-canal du N-canal 1 |
| La Minimum-Actionner-température | - 55 C |
| Palladium-Puissance-dissipation | 800 mW |
| Série | DMC2038 |
| De type transistor | 1 P-canal du N-canal 1 |
| Typique Tour Retard fois | 25 NS 21 NS |
| Typique Tour Sur Retard fois | 5 NS 11 NS |
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